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  • 型号: NX3008NBKV,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NX3008NBKV,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NX3008NBKV,115价格参考。NXP SemiconductorsNX3008NBKV,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 400mA 500mW 表面贴装 SOT-666。您可以下载NX3008NBKV,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NX3008NBKV,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT666MOSFET 30V 400 MA DUAL N-CH TRENCH MOSFET

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

400 mA

Id-连续漏极电流

400 mA

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors NX3008NBKV,115-

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产品型号

NX3008NBKV,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

390 mW

Pd-功率耗散

390 mW

Qg-GateCharge

0.52 nC

Qg-栅极电荷

0.52 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

50pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.68nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-666

其它名称

568-10315-6

功率-最大值

500mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

封装/箱体

SOT-666-6

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

310 mS

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

400mA

配置

Dual

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