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Datasheet下载- 型号： 2SC5087YTE85LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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2SC5087YTE85LF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5087YTE85LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5087YTE85LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SC5087YTE85LF封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 12V 80mA 7GHz 150mW 表面贴装 SMQ。您可以下载2SC5087YTE85LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC5087YTE85LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC5087YTE85LF是东芝半导体与存储公司（Toshiba Semiconductor and Storage）生产的一款高频NPN型双极结型晶体管（BJT），属于射频晶体管类别。该器件专为高频、低噪声放大应用设计，广泛应用于无线通信系统中。 其主要应用场景包括： 1. 移动通信设备：用于手机、基站模块中的射频前端放大电路，适用于UHF频段信号放大； 2. 无线模块：在Wi-Fi、蓝牙、ZigBee等短距离无线通信模块中作为低噪声放大器（LNA），提升接收灵敏度； 3. 射频识别（RFID）系统：用于读写器的射频信号放大与处理； 4. 电视与调频接收器：在模拟和数字电视调谐器、FM收音机中实现高频小信号放大； 5. 物联网（IoT）设备：支持各类低功耗无线传感节点中的射频信号处理。 2SC5087YTE85LF具有高截止频率（fT高达6GHz）、低噪声系数和优良的增益特性，适合工作在1GHz以下的高频环境。其小型化封装（如SC-89或类似微型封装）有助于节省PCB空间，满足便携式电子设备对紧凑设计的需求。 综上，该晶体管适用于需要高性能、低噪声放大的射频模拟前端，尤其适合消费类电子和通信设备中的高频小信号放大场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS RF NPN 7GHZ 80MA SMQ |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | 2SC5087YTE85LF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 20mA，10V |
| 供应商器件封装 | SMQ |
| 其它名称 | 2SC5087-Y(TE85L,F) |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.1dB @ 1GHz |
| 增益 | 13dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-61AA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80mA |
| 频率-跃迁 | 7GHz |
