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Datasheet下载- 型号： BLT50,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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BLT50,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLT50,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLT50,115价格参考。NXP SemiconductorsBLT50,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 10V 500mA 470MHz 2W 表面贴装 SOT-223。您可以下载BLT50,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLT50,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为BLT50,115的晶体管由NXP USA Inc.生产，属于射频双极结型晶体管（RF BJT）。该器件主要应用于射频功率放大领域，适用于工作频率较高的通信系统中，如蜂窝基站、无线基础设施和广播设备等。 BLT50,115具有较高的功率增益和良好的线性性能，适合用于UHF频段（例如800MHz至1GHz）的信号放大。其高可靠性和稳定性使其在需要长时间连续运行的通信设备中得到广泛应用。 此外，该晶体管还可用于工业和广播领域的射频能量应用，如射频加热、等离子体生成等。由于其封装设计便于散热，因此在高功率输出场景中表现出色。 总结而言，BLT50,115主要应用于射频通信系统的功率放大模块，尤其适用于移动通信基站、无线接入网络设备、广播发射机以及工业射频能量控制系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN UHF 7.5V SOT223射频双极晶体管 TAPE-7 TNS-RFPR |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BLT50,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BLT50,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 25 @ 300mA，5V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-8487-6 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2000 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SC-73 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 10V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 类型 | RF Bipolar Power |
| 配置 | Single Dual Emitter |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 10 V |
| 零件号别名 | BLT50 T/R |
| 频率-跃迁 | 470MHz |
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