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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF581由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF581价格参考。American Microsemiconductor, Inc.MRF581封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF581参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF581 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF581是Microsemi Power Products Group(现属Microchip Technology)生产的一款射频双极晶体管(RF BJT),主要用于高频、高功率的射频放大应用。该器件典型应用于甚高频(VHF)和特高频(UHF)频段,适用于工作频率在几十MHz至数百MHz范围内的系统。 MRF581广泛用于工业、科学和医疗(ISM)频段设备中,如射频能量加热、等离子发生器、感应加热系统以及射频激励光源等。此外,它也常见于模拟电视发射机、广播发射设备和专业通信系统的末级功率放大器中,具备良好的线性度和输出功率能力,适合对信号保真度要求较高的场合。 由于其高增益和高效率特性,MRF581在连续波(CW)和调幅(AM)信号放大中表现出色,同时能承受较高的负载失配,增强了系统可靠性。该器件通常采用陶瓷封装,具有优良的散热性能和环境适应性,适合在严苛工业环境下长期稳定运行。 总之,MRF581是一款适用于中高频、中高功率射频放大的可靠器件,主要服务于广播传输、工业加热及专业通信等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 18V 200MA MACRO X |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/11675-mrf581-mrf581a-reva-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF581 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 50 @ 50mA,5V |
| 产品目录绘图 |
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| 供应商器件封装 | Micro-X 陶瓷(84C) |
| 其它名称 | MRF581MI |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz |
| 增益 | 13dB ~ 15.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 微型-X 陶瓷 84C |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 18V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
| 频率-跃迁 | 5GHz |