Datasheet下载- 型号： BFU768F,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFU768F,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFU768F,115价格参考。NXP SemiconductorsBFU768F,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFU768F,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFU768F,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFU768F 是由 NXP USA Inc. 生产的一款双极射频晶体管（BJT），广泛应用于高频和射频电路中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 低噪声放大器 (LNA)： BFU768F 具有低噪声系数和高增益的特点，非常适合用于设计低噪声放大器。这种应用常见于无线通信设备、卫星接收器和雷达系统中，以提高信号质量并减少干扰。 2. 射频开关： 由于其优异的开关特性和快速响应能力，BFU768F 可用作射频信号切换的核心元件。在多频段通信设备或测试仪器中，它能够实现高效且可靠的信号路径切换。 3. 混频器与调制解调器： 在射频前端模块中，BFU768F 可用于构建混频器或调制解调器电路，支持频率转换功能。这在无线通信、广播设备以及导航系统中尤为重要。 4. 高频振荡器： 利用 BFU768F 的高频性能，可以设计稳定可靠的振荡器电路，为各种电子设备提供精确的时钟信号或载波信号。 5. 无线通信模块： 该晶体管适用于 GSM、蓝牙、Wi-Fi 等无线通信系统的功率放大器前置级或驱动级，确保信号传输效率和稳定性。 6. 医疗电子设备： 在超声波诊断仪或其他需要高精度信号处理的医疗设备中，BFU768F 能够满足严格的性能要求。 总之，BFU768F 凭借其卓越的射频性能，在通信、工业、医疗等多个领域有着广泛的应用前景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS RF NPN 2.8V 70MA DFP4射频双极晶体管 4-pin Dual-Emitter Microwave Transistor |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFU768F,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFU768F,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 155 @ 10mA，2V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-343R |
| 其它名称 | 934066851115 |
| 功率-最大值 | 220mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.1dB @ 2.4GHz |
| 增益 | 13.1dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-343F |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 2.8V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 70mA |
| 频率-跃迁 | - |
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