Datasheet下载- 型号： CPH6001A-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CPH6001A-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH6001A-TL-E价格参考。ON SemiconductorCPH6001A-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CPH6001A-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CPH6001A-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CPH6001A-TL-E是安森美（ON Semiconductor）生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于高频信号放大和射频功率应用。该器件适用于工作频率在数百MHz至数GHz范围的无线通信系统，广泛应用于无线基础设施、基站模块、小型蜂窝设备以及工业射频系统中。 典型应用场景包括蜂窝通信中的低噪声放大器（LNA）、驱动放大器和射频输出级，支持GSM、WCDMA、LTE等移动通信标准。凭借其高增益、优良的线性度和较低的噪声系数，CPH6001A-TL-E能够在保持信号清晰的同时提升系统灵敏度和传输效率。 此外，该晶体管采用紧凑型表面贴装封装，适合高密度PCB布局，广泛用于需要小型化与高性能兼顾的射频模块设计。由于其稳定的工作性能和良好的热稳定性，也适用于环境条件较严苛的工业与通信设备中。 总之，CPH6001A-TL-E是一款适用于现代无线通信系统的高性能射频BJT，特别适合对尺寸、功耗和信号质量有较高要求的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 12V 100MA CPH6 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | CPH6001A-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 90 @ 30mA，5V |
| 供应商器件封装 | 6-CPH |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.1dB @ 1GHz |
| 增益 | 11dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 频率-跃迁 | 6.7GHz |
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