Datasheet下载- 型号： 2SC5226A-4-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5226A-4-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5226A-4-TL-E价格参考￥0.55-￥0.55。ON Semiconductor2SC5226A-4-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SC5226A-4-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC5226A-4-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC5226A-4-TL-E是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款高频双极性晶体管（BJT），主要用于射频（RF）放大应用。该器件采用NPN结构，适用于高频信号放大，广泛应用于以下场景： 1. 无线通信设备：如基站、无线接入点和通信模块中，用于射频信号的前级或驱动级放大； 2. 广播发射设备：在FM广播或电视发射系统中作为功率放大器使用； 3. 工业控制与测量仪器：用于高频信号处理和传输； 4. 消费类电子产品：如高性能无线耳机、智能音响中的射频模块； 5. 汽车电子系统：包括车载通信模块、远程无钥匙进入系统等。 该晶体管具有良好的高频响应和线性放大特性，适合工作在VHF/UHF频段，具备较高的可靠性与稳定性，适合要求紧凑设计和高效能的电路应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO VHF-UHF MCP两极晶体管 - BJT VHF TO UHF WIDEBAND AMPLIFIER |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SC5226A-4-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SC5226A-4-TL-E |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 90 @ 20mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-MCP |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 2 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1dB @ 1GHz |
| 增益 | 12dB |
| 增益带宽产品fT | 7 GHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 70 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 10V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 70mA |
| 系列 | 2SC5226A |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 10 V |
| 频率-跃迁 | 7GHz |
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