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PBR941,215产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBR941,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBR941,215价格参考。NXP SemiconductorsPBR941,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 10V 50mA 8GHz 360mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)。您可以下载PBR941,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBR941,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBR941,215 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频双极结型晶体管(RF BJT),属于高频功率放大应用的分立器件。该器件主要用于中等功率射频放大系统,在工业、科学和医疗(ISM)频段以及短距离无线通信系统中具有广泛应用。 典型应用场景包括: 1. 射频功率放大器:适用于UHF频段(300 MHz至1 GHz以上)的线性放大,常用于FM广播发射器、对讲机、无线麦克风系统等设备中,提供稳定且高效的信号放大。 2. 无线通信基础设施:在小型基站、中继器或专用无线网络设备中作为驱动级或末级放大器使用,支持模拟与数字调制信号的处理。 3. 工业与消费类射频设备:如射频加热控制、感应加热、等离子发生器等非通信类应用,利用其良好的热稳定性和高增益特性实现可靠运行。 4. 业余无线电与专业音频传输系统:因其具备较高的输出功率能力(可达数瓦级别)和良好的互调性能,适合用于高质量音频信号的远距离无线传输。 PBR941,215 采用SOT428(DDPAK)封装,具有优良的散热性能,适合在持续高功率工作环境下使用。其设计兼顾效率与线性度,能够在+12V或+13.8V标准供电条件下稳定运行,广泛应用于需要可靠、紧凑型射频放大的嵌入式系统中。总体而言,该器件适用于对稳定性、耐用性和射频性能有一定要求的中功率无线系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN UHF 50MA SOT23两极晶体管 - BJT NPN UHF 50MA |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBR941,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBR941,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 50 @ 5mA,6V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-1174-2 |
| 功率-最大值 | 360mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 1.5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| 增益 | - |
| 增益带宽产品fT | 8 GHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | TO-236AB-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 360 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.05 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 10V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 50mA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 50 at 5 mA at 6 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 at 5 mA at 6 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 10 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 20 V |
| 集电极连续电流 | 0.05 A |
| 零件号别名 | PBR941 T/R |
| 频率-跃迁 | 8GHz |