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  • 型号: PBR941,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PBR941,215产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBR941,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBR941,215价格参考。NXP SemiconductorsPBR941,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 10V 50mA 8GHz 360mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)。您可以下载PBR941,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBR941,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PBR941,215 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频双极结型晶体管(RF BJT),属于高频功率放大应用的分立器件。该器件主要用于中等功率射频放大系统,在工业、科学和医疗(ISM)频段以及短距离无线通信系统中具有广泛应用。

典型应用场景包括:  
1. 射频功率放大器:适用于UHF频段(300 MHz至1 GHz以上)的线性放大,常用于FM广播发射器、对讲机、无线麦克风系统等设备中,提供稳定且高效的信号放大。  
2. 无线通信基础设施:在小型基站、中继器或专用无线网络设备中作为驱动级或末级放大器使用,支持模拟与数字调制信号的处理。  
3. 工业与消费类射频设备:如射频加热控制、感应加热、等离子发生器等非通信类应用,利用其良好的热稳定性和高增益特性实现可靠运行。  
4. 业余无线电与专业音频传输系统:因其具备较高的输出功率能力(可达数瓦级别)和良好的互调性能,适合用于高质量音频信号的远距离无线传输。

PBR941,215 采用SOT428(DDPAK)封装,具有优良的散热性能,适合在持续高功率工作环境下使用。其设计兼顾效率与线性度,能够在+12V或+13.8V标准供电条件下稳定运行,广泛应用于需要可靠、紧凑型射频放大的嵌入式系统中。总体而言,该器件适用于对稳定性、耐用性和射频性能有一定要求的中功率无线系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR NPN UHF 50MA SOT23两极晶体管 - BJT NPN UHF 50MA

产品分类

RF 晶体管 (BJT)分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBR941,215-

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产品型号

PBR941,215

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

50 @ 5mA,6V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-1174-2
934043060215
PBR941 T/R
PBR941215

功率-最大值

360mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

1.5 V

商标

NXP Semiconductors

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

1.4dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

-

增益带宽产品fT

8 GHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

TO-236AB-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

360 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.05 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

10V

电流-集电极(Ic)(最大值)

50mA

直流电流增益hFE最大值

50 at 5 mA at 6 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

50 at 5 mA at 6 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

10 V

集电极—基极电压VCBO

20 V

集电极连续电流

0.05 A

零件号别名

PBR941 T/R

频率-跃迁

8GHz

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