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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BFR520T,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFR520T,115价格参考。NXP SemiconductorsBFR520T,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 15V 70mA 9GHz 150mW Surface Mount SC-75。您可以下载BFR520T,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFR520T,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFR520T,115 是 NXP USA Inc. 生产的一款射频双极结型晶体管(RF BJT),属于高频小信号放大器晶体管,广泛应用于无线通信领域的射频前端电路中。其主要应用场景包括: 1. 无线通信系统:适用于GSM、CDMA、WCDMA、LTE等移动通信基础设施中的低噪声放大(LNA)和驱动放大电路,工作频率可达数GHz,具备良好的高频增益和噪声性能。 2. 射频接收模块:由于具有低噪声系数和高增益特性,常用于接收链路中的第一级放大,提升接收灵敏度,适用于基站、无线收发器和射频接收机等设备。 3. 物联网(IoT)与无线传感器网络:在低功耗、高性能的无线连接模块中作为射频信号放大元件,支持Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等短距离通信技术的相关射频设计。 4. 雷达与工业射频设备:可用于汽车雷达辅助系统、工业检测设备中的高频信号处理单元,提供稳定可靠的射频放大功能。 5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑和无线网关中的射频模块,用于增强信号接收能力。 BFR520T,115 采用SOT-343封装,体积小巧,适合高密度贴装,且具备良好的热稳定性和可靠性。其优异的射频性能使其在需要高线性度和低失真的应用中表现出色。总体而言,该器件适用于各类需要高频、低噪声放大的现代无线通信和射频电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-416射频双极晶体管 NPN 20V 70mA 9GHZ |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFR520T,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFR520T,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 20mA,6V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 568-6205-1 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 2.5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
| 封装/箱体 | SOT-416 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 9000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.07 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 15V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 70mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 集电极连续电流 | 0.07 A |
| 零件号别名 | BFR520T T/R |
| 频率 | 9000 MHz |
| 频率-跃迁 | 9GHz |