Datasheet下载- 型号： NSVMMBTH10LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMMBTH10LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMMBTH10LT1G价格参考。ON SemiconductorNSVMMBTH10LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSVMMBTH10LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVMMBTH10LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSVMMBTH10LT1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于高频、低噪声的射频放大和信号处理应用。该器件采用SOT-23封装，具有高增益和优良的高频性能，适用于工作频率在数百MHz至数GHz范围内的电路。 其典型应用场景包括： 1. 无线通信设备：广泛用于手机、对讲机、Wi-Fi模块等便携式无线终端中的小信号放大电路，提升接收灵敏度与信号质量。 2. 射频前端模块：作为低噪声放大器（LNA）或驱动放大器，用于增强微弱射频信号，常见于物联网（IoT）设备、蓝牙模块及ZigBee系统中。 3. 汽车电子系统：得益于其符合AEC-Q101车规认证，NSVMMBTH10LT1G可用于车载通信系统、遥控无钥匙进入（RKE）、胎压监测系统（TPMS）等，具备良好的温度稳定性和可靠性。 4. 工业与消费类射频产品：如无线传感器网络、远程控制装置、RFID读写器等，支持稳定的射频信号放大与调制解调功能。 该器件具有低电流消耗和高可靠性特点，适合电池供电的低功耗应用。同时，其“NSV”前缀表明为符合汽车级标准的产品，可在严苛环境下稳定运行。综合来看，NSVMMBTH10LT1G是一款适用于高性能、小型化射频系统的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSVMMBTH10LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 4mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 25V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 650MHz |
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