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Datasheet下载- 型号： NE461M02-T1-AZ
- 制造商： CEL
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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NE461M02-T1-AZ产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE461M02-T1-AZ由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE461M02-T1-AZ价格参考。CELNE461M02-T1-AZ封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 15V 250mA 2W Surface Mount SOT-89。您可以下载NE461M02-T1-AZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE461M02-T1-AZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE461M02-T1-AZ是由品牌CEL生产的射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于高频信号放大和射频功率应用。该器件适用于工作频率较高的无线通信系统，常见于UHF频段及以上的应用场景。 其主要应用场景包括：无线基础设施中的射频功率放大器、小型基站（如微蜂窝、微微站）、物联网（IoT）设备中的射频模块、工业射频设备以及低功耗广播发射器等。由于具备良好的增益特性和线性度，NE461M02-T1-AZ适合用于需要高保真信号放大的场合，例如在GSM、LTE、WLAN（Wi-Fi）和其他数字通信系统中作为驱动放大器或前置放大器。 此外，该晶体管采用小型化封装（如SOT-23），便于高密度贴装，适用于空间受限的便携式或紧凑型射频电路设计。其稳定的温度性能和可靠性也使其在环境条件变化较大的工业与通信设备中表现良好。 综上，NE461M02-T1-AZ是一款适用于中低功率射频放大需求的高性能晶体管，广泛应用于现代无线通信系统和射频模块中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 1GHZ SOT-89 M02射频双极晶体管 NPN Low Distort Amp |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | CEL |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,CEL NE461M02-T1-AZ- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NE461M02-T1-AZ |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 50mA，10V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-89 |
| 其它名称 | NE461M02-T1-AZCT |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | CEL |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.5dB ~ 3.5dB @ 500MHz ~ 1GHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 1 GHz |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 250mA |
| 类型 | RF Bipolar Power |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 集电极连续电流 | 250 mA |
| 频率 | 1 GHz |
| 频率-跃迁 | - |
