Datasheet下载- 型号： 15GN03MA-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供15GN03MA-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 15GN03MA-TL-E价格参考。ON Semiconductor15GN03MA-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载15GN03MA-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有15GN03MA-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
15GN03MA-TL-E 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于高频功率放大应用。该器件适用于工作频率在VHF/UHF范围内的无线通信系统，如广播、对讲机、基站及工业设备中的射频信号放大模块。 这款晶体管具备良好的线性度和高增益特性，适合用于要求较高输出功率和效率的模拟射频电路中。此外，它也常被应用于测试设备、无线基础设施以及需要稳定射频性能的工业控制系统中。 由于其封装形式为表面贴装（SMD），因此适用于自动化生产和紧凑型设计，广泛用于现代通信设备中。总体而言，15GN03MA-TL-E是一款面向中高频段射频应用的高性能BJT晶体管。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 70MA 10V MCP |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 15GN03MA-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-MCP |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.6dB @ 0.4GHz |
| 增益 | 13dB @ 0.4GHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 10V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 70mA |
| 频率-跃迁 | 1.5GHz |
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