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型号： NE68133-T1B-R35-A
制造商： CEL
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NE68133-T1B-R35-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE68133-T1B-R35-A价格参考。CELNE68133-T1B-R35-A封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NE68133-T1B-R35-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE68133-T1B-R35-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NE68133-T1B-R35-A 是由品牌 CEL 提供的一款双极型射频晶体管（BJT），其主要应用场景集中在高频射频信号的放大、调制和处理领域。以下是该型号晶体管的主要应用场景：

1. 射频功率放大器：  
   该晶体管适用于射频功率放大器的设计，能够高效放大高频信号。其高增益和低噪声特性使其在无线通信系统中表现出色。

2. 无线通信设备：  
   在基站、中继器和其他无线通信设备中，NE68133-T1B-R35-A 可用于信号的线性放大，确保高质量的信号传输和接收。

3. 雷达系统：  
   晶体管可用于雷达系统的发射机部分，提供稳定的射频功率输出，满足高频率和高精度要求。

4. 卫星通信：  
   在卫星地面站或用户终端中，该晶体管可以用于信号增强和处理，支持宽带和窄带通信需求。

5. 工业、科学和医疗（ISM）应用：  
   例如微波炉、等离子体发生器和医疗成像设备中，该晶体管可作为射频驱动元件，提供高效的能量转换。

6. 测试与测量设备：  
   在频谱分析仪、信号发生器等仪器中，该晶体管可用于生成和放大高质量的射频信号。

7. 业余无线电：  
   对于爱好者和实验者来说，该晶体管可应用于自制的射频发射机或接收机，实现短波或超短波通信。

总结而言，NE68133-T1B-R35-A 凭借其优异的射频性能，广泛应用于需要高频信号处理和放大的场景，特别是在通信、雷达和测试设备等领域表现突出。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT-23
产品分类	RF 晶体管 (BJT)
品牌	CEL
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	NE68133-T1B-R35-A
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	50 @ 7mA，3V
供应商器件封装	SOT-23
功率-最大值	200mW
包装	带卷（TR）
噪声系数（dB，不同f时的典型值）	1.2dB @ 1GHz
增益	13dB
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
晶体管类型	NPN
标准包装	3,000
电压-集射极击穿（最大值）	10V
电流-集电极(Ic)（最大值）	65mA
频率-跃迁	9GHz