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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供AT-32032-TR1G由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AT-32032-TR1G价格参考。Avago TechnologiesAT-32032-TR1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载AT-32032-TR1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有AT-32032-TR1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
AT-32032-TR1G是一款由Broadcom Limited(安华高)生产的射频双极结型晶体管(BJT),广泛应用于射频(RF)放大和信号处理领域。该器件主要面向需要高性能、高频率响应的无线通信系统。 其典型应用场景包括: 1. 无线基础设施:如蜂窝基站中的射频功率放大器模块,用于增强发射信号强度,适用于GSM、WCDMA、LTE等移动通信标准。 2. 射频测试设备:在射频测试仪器中作为信号放大元件,用于提升测试精度与信号完整性。 3. 工业与商业射频设备:如射频识别(RFID)、无线传感器网络、微波通信设备中的信号放大环节。 4. 宽带通信系统:支持多频段操作,适合用于需要宽频率范围放大的应用场合。 5. 点对点微波通信:在短距离高速无线传输系统中用作射频前端放大器。 AT-32032-TR1G具备良好的高频特性与线性度,适合用于要求低失真和高稳定性的射频应用。其SOT-363封装形式也便于表面贴装,适应现代电路板制造工艺。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-323射频双极晶体管 Transistor Si Low Current |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | Avago Technologies |
| 产品手册 | http://www.avagotech.com/pages/en/rf_microwave/transistors/silicon_bipolar/at-32032/ |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Avago Technologies AT-32032-TR1G- |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-1963EN |
| 产品型号 | AT-32032-TR1G |
| PCN组件/产地 | http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 70 @ 5mA,2.7V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SC-70-3 |
| 其它名称 | 516-1565-6 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 1.5 V |
| 商标 | Avago Technologies |
| 噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz |
| 增益 | 13.5dB ~ 15dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 2400 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.04 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 5.5V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 40mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 at 5 mA at 2.7 V |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 5.5 V |
| 集电极连续电流 | 40 mA |
| 频率 | 2400 MHz |
| 频率-跃迁 | - |