Datasheet下载- 型号： BFG410W,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG410W,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG410W,135价格参考。NXP SemiconductorsBFG410W,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFG410W,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFG410W,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为BFG410W,135的晶体管由品牌NXP USA Inc.生产，属于射频双极结型晶体管（RF BJT）。该器件主要应用于射频放大电路中，适用于工作频率较高的无线通信系统。 其典型应用场景包括： 1. 无线通信基础设施：如蜂窝基站、微波通信设备中的射频功率放大器。 2. 广播发射设备：用于调频（FM）或电视广播发射机中的中间频率或射频放大级。 3. 工业与测试设备：在信号发生器、频谱分析仪等测试仪器中作为射频信号放大元件。 4. 专用无线电系统：如对讲机、专网通信设备中的射频输出级。 该晶体管具有良好的高频性能和稳定性，适合用于UHF（超高频）及以下频段的应用，具备较高的增益和线性度，有助于提高系统的传输效率和信号质量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF NPN 22GHZ 4.5V SOT343 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BFG410W,135 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 10mA，2V |
| 供应商器件封装 | CMPAK-4 |
| 其它名称 | 934047460135 |
| 功率-最大值 | 54mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz |
| 增益 | 21dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 4.5V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 12mA |
| 频率-跃迁 | 22GHz |
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