Datasheet下载- 型号： BLT80,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLT80,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLT80,115价格参考。NXP SemiconductorsBLT80,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLT80,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLT80,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLT80,115 是恩智浦半导体（NXP USA Inc.）生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），适用于高频、中功率射频放大应用。其主要应用场景包括： 1. 射频放大器：BLT80,115 常用于UHF（特高频）和VHF（甚高频）频段的射频功率放大器设计，适用于无线通信基础设施，如基站和中继器。 2. 广播设备：该器件适用于调频（FM）广播和电视广播发射设备中的射频放大环节，提供稳定且高效的信号放大功能。 3. 工业通信系统：在工业级无线通信系统中，如专用无线网络、远程监控系统，BLT80,115 可用于增强信号传输功率，提升通信距离和稳定性。 4. 测试与测量设备：作为射频信号放大元件，BLT80,115 也应用于射频测试设备中，如信号发生器和频谱分析仪的内部放大模块。 5. 军事与航空航天通信：由于其良好的高频特性和可靠性，该晶体管也可用于特定的军用通信设备和航空航天领域的射频系统中。 总结：BLT80,115 主要用于中功率射频放大场景，适用于通信基础设施、广播发射、工业无线系统及测试设备等领域，具备良好的高频性能和稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 10V 250MA SOT223 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLT80,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 25 @ 150mA，5V |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 934004160115 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 10V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 250mA |
| 频率-跃迁 | 900MHz |
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