ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SUD50P10-43L-GE3
Datasheet下载- 型号： SUD50P10-43L-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUD50P10-43L-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD50P10-43L-GE3价格参考￥6.16-￥6.16。VishaySUD50P10-43L-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 100V 37.1A（Tc） 8.3W（Ta），136W（Tc） TO-252。您可以下载SUD50P10-43L-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUD50P10-43L-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUD50P10-43L-GE3 是一款 P 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效、高可靠性开关控制的场景。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和优良的热稳定性，适合用于电源管理与功率转换领域。 典型应用场景包括： 1. 电源开关电路：适用于DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统，实现对电压通断的快速控制。 2. 电机驱动：在工业控制、电动工具及小型电机控制中，作为H桥或低端开关使用。 3. 电池供电设备：如笔记本电脑、移动电源、便携式仪器等，用于电池反向保护和充放电管理。 4. 汽车电子系统：可用于车身控制模块、车灯驱动、车载充电系统等，满足严苛环境下的可靠运行需求。 5. 热插拔电路：在服务器、通信设备中防止上电冲击，提供过流保护功能。 SUD50P10-43L-GE3 采用先进的工艺制造，具备良好的抗雪崩能力和静电防护性能，同时符合RoHS环保标准，适用于高性能、紧凑型电子设计。其封装形式有利于散热和PCB布局优化，适合高密度组装应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | 点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SUD50P10-43L-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4600pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 160nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 43 毫欧 @ 9.2A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-252 |
| 功率-最大值 | 136W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 37.1A (Tc) |
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