Datasheet下载- 型号： 2SC5415AF-TD-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5415AF-TD-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5415AF-TD-E价格参考。ON Semiconductor2SC5415AF-TD-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SC5415AF-TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC5415AF-TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor生产的2SC5415AF-TD-E是一款高频NPN型射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于射频信号放大和高频开关应用。该器件适用于工作频率较高的无线通信系统，常见于移动通信设备、基站模块、无线基础设施以及射频功率放大电路中。 2SC5415AF-TD-E具有优良的增益特性和良好的高频响应，适合在数百MHz至数GHz频段内稳定工作，因此广泛应用于蜂窝网络设备（如GSM、CDMA、WCDMA等）、射频前端模块、小型信号放大器及低噪声放大器（LNA）设计中。此外，其封装紧凑（通常为小型表面贴装封装），有利于高密度PCB布局，适用于空间受限的便携式或嵌入式通信设备。 该晶体管还具备较高的可靠性与温度稳定性，可在较宽的工作温度范围内保持性能一致，适合工业级和部分汽车电子环境中的射频应用。总体而言，2SC5415AF-TD-E是一款专为高性能射频模拟电路设计的晶体管，适用于需要高线性度、低失真和良好噪声性能的场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 0.1A 12V |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 2SC5415AF-TD-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | * |
| 供应商器件封装 | PCP |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.1dB @ 1GHz |
| 增益 | 9dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 频率-跃迁 | 6.7GHz |
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