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产品简介:
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2N5770_D75Z 是一款由 ON Semiconductor 提供的双极性射频晶体管(BJT),主要应用于高频和射频电路中。以下是其典型的应用场景: 1. 射频放大器 - 该型号适合用于低噪声射频放大器,例如在无线通信系统、对讲机、业余无线电设备等中的前置放大器。 - 其高频特性使其能够有效放大射频信号,同时保持较低的噪声水平。 2. 混频器与调制器 - 在射频通信系统中,2N5770_D75Z 可用于混频器或调制器电路,实现频率转换或信号调制功能。 - 这些应用常见于收音机、电视接收器以及卫星通信设备中。 3. 振荡器 - 该晶体管可以作为核心元件构建射频振荡器,用于生成稳定的高频信号。 - 应用于本地振荡器、时钟信号发生器等场合。 4. 开关电路 - 在某些射频电路中,2N5770_D75Z 可用作高速开关,控制信号的通断。 - 这种应用常见于数字通信系统中的信号切换模块。 5. 测试与测量设备 - 该晶体管可用于制造射频测试仪器中的放大和信号处理模块,例如频谱分析仪或信号发生器。 6. 工业与医疗设备 - 在需要高频信号处理的工业设备(如感应加热装置)或医疗设备(如超声波仪器)中,该晶体管可以提供可靠的射频性能。 总结 2N5770_D75Z 的高频特性和低噪声性能使其成为射频领域的重要器件,广泛应用于通信、广播、测试测量以及工业设备中。选择该型号时,需根据具体电路设计要求考虑其增益、频率范围和功率参数。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF NPN 15V 50MA TO-92 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | 2N5770_D75Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 50 @ 8mA,10V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 6dB @ 60MHz |
| 增益 | 15dB |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 15V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 50mA |
| 频率-跃迁 | - |