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Datasheet下载- 型号： NE664M04-A
- 制造商： CEL
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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NE664M04-A产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE664M04-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE664M04-A价格参考。CELNE664M04-A封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 5V 500mA 20GHz 735mW Surface Mount SOT-343F。您可以下载NE664M04-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE664M04-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NE664M04-A的CEL品牌双极晶体管（BJT）属于射频晶体管，常用于高频信号放大和射频电路中。该器件广泛应用于无线通信设备、射频发射机、功率放大器、频率合成器以及广播设备等场景。 NE664M04-A具有良好的高频特性和较高的功率输出能力，适合工作在UHF（特高频）频段，适用于FM广播、电视发射机、工业无线电设备以及专用通信系统中的射频功率放大环节。此外，它也常用于需要高线性度和稳定性的模拟射频电路设计中，如基站前端模块、微波通信设备及测试仪器中。 由于其可靠的性能和适中的功率等级，NE664M04-A在专业射频领域被广泛采用，尤其适合对稳定性和频率响应要求较高的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 1.8GHZ M04射频双极晶体管 NPN High Frequency |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | CEL |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,CEL NE664M04-A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NE664M04-A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 100mA，3V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | M04 |
| 其它名称 | NE664M04A |
| 功率-最大值 | 735mW |
| 功率耗散 | 0.735 W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 1.5 V |
| 商标 | CEL |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | 12dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | SOT-343F |
| 封装/箱体 | SOT-343 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 5V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 5 V |
| 集电极连续电流 | 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 20GHz |
