Datasheet下载- 型号： UPA806T-A
- 制造商： CEL
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供UPA806T-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UPA806T-A价格参考。CELUPA806T-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载UPA806T-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有UPA806T-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
UPA806T-A是一款由CEL（California Eastern Laboratories）生产的射频双极晶体管（BJT），主要用于射频（RF）放大和相关高频应用。 该晶体管适用于以下主要应用场景： 1. 无线通信设备：UPA806T-A常用于无线基站、中继器和无线接入点等设备中的射频功率放大模块，支持如蜂窝通信（如4G LTE）、专网通信等系统。 2. 射频测试仪器：该器件可用于射频信号放大器中，作为测试设备中的增益模块，提升测试系统的信号输出能力。 3. 工业与物联网应用：在工业通信系统和物联网（IoT）网关中，UPA806T-A可用于增强射频信号传输距离和稳定性，适用于远距离无线通信模块设计。 4. 广播与电视发射设备：该晶体管也可用于低功率射频发射系统，如FM广播或电视信号中继设备中的驱动放大级。 UPA806T-A具有良好的高频特性，支持高达1GHz左右的工作频率，具备较高的功率增益和线性度，适合中等功率的射频放大需求。其封装形式为小型表面贴装封装（如SOT-89），便于在高密度PCB设计中使用。 综上，UPA806T-A广泛应用于通信基础设施、测试设备及工业射频系统中，是一款性能稳定的射频双极晶体管。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 12GHZ SOT363射频双极晶体管 NPN High Frequency |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | CEL |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,CEL UPA806T-A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | UPA806T-A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 75 @ 10mA，3V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | 6-SO |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 0.1 W, 0.2 W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 2 V |
| 商标 | CEL |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SO-6 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 6V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 30mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 75 |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 6 V |
| 集电极连续电流 | 0.03 A |
| 频率-跃迁 | 12GHz |
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