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  • 型号: ADP160AUJZ-1.2-R7
  • 制造商: Analog
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ADP160AUJZ-1.2-R7产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ADP160AUJZ-1.2-R7由Analog设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ADP160AUJZ-1.2-R7价格参考¥4.11-¥4.11。AnalogADP160AUJZ-1.2-R7封装/规格:PMIC - 稳压器 - 线性, Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 1.2V 150mA TSOT-5。您可以下载ADP160AUJZ-1.2-R7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ADP160AUJZ-1.2-R7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)半导体

描述

IC REG LDO 1.2V 0.15A TSOT23-5线性稳压器 Ultra Low Quiescent Crnt 150mA CMOS

DevelopmentKit

ADP160UJZ-REDYKIT

产品分类

PMIC - 稳压器 - 线性

品牌

Analog Devices Inc

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

电源管理 IC,线性稳压器,Analog Devices ADP160AUJZ-1.2-R7-

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产品型号

ADP160AUJZ-1.2-R7

产品种类

线性稳压器

供应商器件封装

TSOT-5

其它名称

ADP160AUJZ-1.2-R7DKR

包装

Digi-Reel®

商标

Analog Devices

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-23-5 细型,TSOT-23-5

封装/箱体

TSOT-5

工作温度

-40°C ~ 125°C

工厂包装数量

3000

最大工作温度

+ 125 C

最大输入电压

5.5 V

最小工作温度

- 40 C

最小输入电压

2.2 V

标准包装

1

电压-跌落(典型值)

-

电压-输入

2.2 V ~ 5.5 V

电压-输出

1.2V

电流-输出

150mA

电流-限制(最小值)

220mA

稳压器拓扑

正,固定式

稳压器数

1

系列

ADP160

视频文件

http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=505&videoID=2245193149001

输出电流

150 mA

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超低静态电流、150 mA CMOS线性稳压器 ADP160/ADP161/ADP162/ADP163 产品特性 典型应用电路 超低静态电流 ADP160/ADP162 I = 560 nA(0 μA负载) VIN = 2.3V VOUT = 1.8V Q 1 VIN VOUT 5 I = 860 nA(1 μA负载) 1µF 1µF Q 2 GND 利用1 μF陶瓷输入和输出电容便可稳定工作 最大输出电流:150 mA ON 3 EN NC 4 输入电压范围:2.2 V至5.5 V OFF NC = NO CONNECT 08628-001 低关断电流:<50 nA(典型值) 图1. 5引脚TSOT封装ADP160/ADP162,固定输出电压1.8 V 低压差:195 mV,负载电流150 mA 初始精度: ±1% ADP161/ADP163 在整个线路、负载与温度范围内的精度: ±3.5% VIN = 4.2V 1 VIN VOUT 5 VOUT = 3.2V 15种固定输出电压选项:1.2 V至4.2 V 1µF 1µF 2 GND 可提供可调输出电压 R1 ON 3 EN ADJ 4 P限S流RR和性热能过:载72保 d护B (100 Hz) OFF R2 08628-002 图2. 5引脚TSOT封装ADP161/ADP163,可调输出电压3.2 V 逻辑控制使能 集成输出放电电阻 ADP160/ADP162 5引脚TSOT封装 1 2 4引脚、0.5 mm间距WLCSP封装 VIN = 3.3V VOUT = 2.8V 应用 1µF A VIN VOUT 1µF TOP VIEW 移动电话 (Not to Scale) 数便码携相式机和和电音池频供设电备设备 OFF ON B EN GND 08628-003 后置DC-DC调节 图3. 4引脚WLCSP封装ADP160/ADP162,固定输出电压2.8 V 便携式医疗设备 概述 ADP160/ADP161/ADP162/ADP163均为超低静态电流、低 ADP161和ADP163可用作可调输出电压稳压器,仅提供5引 压差线性稳压器,工作电压为2.2 V至5.5 V,输出电流最高 脚TSOT封装。ADP163不包括输出放电功能,其余与 可达150 mA。在150 mA负载下压差仅为195 mV,不仅可提 ADP161完全相同。 高效率,而且能使器件在很宽的输入电压范围内工作。 短路和热过载保护电路可以防止器件在不利条件下受损。 ADP16x经过专门设计,利用1 μF ± 30%小陶瓷输入和输出电 ADP160和ADP162提供5引脚TSOT和4引脚、0.5 mm间距 容便可稳定工作,适合高性能、空间受限应用的要求。 WLCSP两种小型封装,是适合各种便携式供电应用的最小 尺寸解决方案。 ADP160可提供1.2 V至4.2 V范围内的15种固定输出电压选 项。ADP160/ADP161还包括一个开关电阻,当LDO禁用 时,该电阻自动使输出放电。ADP162不包括输出放电功 能,其余与ADP160完全相同。 Rev. G Document Feedback Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Tel: 781.329.4700 ©2010–2012 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. Technical Support www.analog.com ADI中文版数据手册是英文版数据手册的译文,敬请谅解翻译中可能存在的语言组织或翻译错误,ADI不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责。如需确认任何词语的准确性,请参考ADI提供 的最新英文版数据手册。

ADP160/ADP161/ADP162/ADP163 目录 特性....................................................................................................1 典型性能参数..................................................................................8 应用....................................................................................................1 工作原理.........................................................................................12 典型应用电路..................................................................................1 应用信息.........................................................................................14 概述....................................................................................................1 电容选择....................................................................................14 修订历史...........................................................................................2 使能特性....................................................................................15 技术规格...........................................................................................3 限流与热过载保护..................................................................15 推荐规格:输入和输出电容...................................................4 散热考量....................................................................................16 绝对最大额定值..............................................................................5 PCB布局考量............................................................................18 热数据..........................................................................................5 WLCSP封装的光敏度.............................................................18 热阻..............................................................................................5 外形尺寸.........................................................................................20 ESD警告.......................................................................................5 订购指南....................................................................................21 引脚配置和功能描述.....................................................................6 修订历史 2012年12月—修订版F至修订版G 更改表3.............................................................................................5 更改引脚4描述................................................................................6 更改图22.........................................................................................10 更改图32和图33的标题...............................................................12 增加“WLCSP封装的光敏度”部分.............................................18 2012年9月—修订版E至修订版F 更改“订购指南”.............................................................................21 2012年4月—修订版D至修订版E 更新“外形尺寸”.............................................................................20 更改“订购指南”.............................................................................21 2012年1月-修订版C至修订版D 更改“订购指南”.............................................................................21 2011年1月—修订版B至修订版C 更改图15和图16..............................................................................9 2010年11月—修订版A至修订版B 更改“工作原理”部分....................................................................13 更改“订购指南”.............................................................................20 2010年8月—修订版0至修订版A 增加ADP162/ADP163.............................................................通篇 更改图17和图18..............................................................................9 更改图19、图20和图23...............................................................10 增加图21和图22(重新排序编号)...............................................10 增加图32和图33............................................................................12 更改“订购指南”.............................................................................20 2010年6月—修订版0:初始版 Rev. G | Page 2 of 24

ADP160/ADP161/ADP162/ADP163 技术规格 除非另有说明,V = (V + 0.5 V)或2.2 V(取较大者),EN = V ,I = 10 mA,C = C = 1 μF,T = 25°C。 IN OUT IN OUT IN OUT A 表1. 参数 符号 条件 最小值 典型 值 最大值 单位 输入电压范围 V T = −40°C 至 +125°C 2.2 5.5 V IN J 工作电源电流 I I = 0 µA 560 1250 nA GND OUT I = 0 µA, T = −40°C 至 +125°C 2.3 µA OUT J I = 1 µA 860 1800 nA OUT I = 1 µA, T = −40°C 至 +125°C 2.8 µA OUT J I = 100 µA 2.6 4.5 µA OUT I = 100 µA, T = −40°C 至 +125°C 5.8 µA OUT J I = 10 mA 11 µA OUT I = 10 mA, T = −40°C 至 +125°C 19 µA OUT J I = 150 mA 42 µA OUT I = 150 mA, T = −40°C 至 +125°C 65 µA OUT J 关断电流 I EN = GND 50 nA GND-SD EN = GND, T = −40°C 至 +125°C 1 µA J 输出电压精度 V I = 10 mA −1 +1 % OUT OUT 0 µA < I < 150 mA, V = (V + 0.5 V) 至 5.5 V −2 +2 % OUT IN OUT 0 µA < I < 150 mA, V = (V + 0.5 V) 至 5.5 V, −3.5 +3.5 % OUT IN OUT T = −40°C 至 +125°C J 可调节输出电压精度(ADP161/A DP163)1 V I = 10 mA 0.99 1.0 1.01 V ADJ OUT 0 µA < I < 150 mA, V = (V + 0.5 V) 至 5.5 V 0.98 1.02 V OUT IN OUT 0 µA < I < 150 mA, V = (V + 0.5 V) 至 5.5 V, 0.97 1.03 V OUT IN OUT T = −40°C 至 +125°C J 调整率 电压调整率 ∆V /∆V V = (V + 0.5 V) 至 5.5 V, T = −40°C 至 +125°C −0.1 +0.1 %/V OUT IN IN OUT J 负载调整率2 ∆V /∆I I = 100 A 至 150 mA 0.004 %/mA OUT OUT OUT I = 100 A 至 150 mA, T = −40°C 至 +125°C 0.01 %/mA OUT J 压差3 V = 3.3 V OUT 4引脚WLCSP封装 V I = 10 mA 7 mV DROPOUT OUT I = 10 mA, T = −40°C 至 +125°C 13 mV OUT J I = 150 mA 105 mV OUT I = 150 mA, T = −40°C 至 +125°C 195 mV OUT J 5引脚TSOT封装 I = 10 mA 8 mV OUT I = 10 mA, T = −40°C 至 +125°C 15 mV OUT J I = 150 mA 120 mV OUT I = 150 mA, T = −40°C 至 +125°C 225 mV OUT J ADJ输入偏置电流(ADP161/ADP163) ADJ 2.2 V ≤ V ≤ 5.5 V, ADJ 连接至VOUT 10 nA I-BIAS IN 有效下拉电阻(ADP160/ADP161) T V = 2.8 V, R = ∞ 300 600 Ω SHUTDOWN OUT LOAD 启动时间4 T V = 3.3 V 1100 µs START-UP OUT 限流阈值5 I 220 320 500 mA LIMIT 热关断 热关断阈值 TS T 上升 150 °C SD J 热关断迟滞 TS 15 °C SD-HYS EN输入 En输入逻辑高电平 V 2.2 V ≤ V ≤ 5.5 V 1.2 V IH IN EN输入逻辑低电平 V 2.2 V ≤ V ≤ 5.5 V 0.4 V IL IN EN输入漏电流 V EN = V 或 GND 0.1 µA I-LEAKAGE IN EN = V 或 GND, T = −40°C 至 +125°C 1 µA IN J Rev. G | Page 3 of 24

ADP160/ADP161/ADP162/ADP163 参数 符号 条件 最小值 典型 值 最大值 单位 欠压闭锁 UVLO 输入电压上升 UVLO 2.19 V RISE 输入电压下降 UVLO 1.60 V FALL 迟滞 UVLO 100 mV HYS 输出噪声 OUT 10 Hz 至 100 kHz, V = 5 V, V = 3.3 V 105 µV NOISE IN OUT rms 10 Hz 至 100 kHz, V = 5 V, V = 2.5 V 100 µV IN OUT rms 10 Hz 至 100 kHz, V = 5 V, V = 1.2 V 80 µV IN OUT rms 电源抑制比 电源抑制比 100 Hz, V = 5 V, V = 3.3 V 60 dB IN OUT ( PSRR) 100 Hz, V = 5 V, V = 2.5 V 65 dB IN OUT 100 Hz, V = 5 V, V = 1.2 V 72 dB IN OUT 1 kHz, V = 5 V, V = 3.3 V 50 dB IN OUT 1 kHz, V = 5 V, V = 2.5 V 50 dB IN OUT 1 kHz, V = 5 V, V = 1.2 V 62 dB IN OUT 1 VOUT直接连接至ADJ时的精度。当VOUT电压由外部反馈电阻设置时,调节模式下的绝对精度取决于所用电阻的容差。 2 基于使用0 μA和150 mA负载的端点计算。 3 压差定义为将输入电压设置为标称输出电压时的输入至输出电压差。仅适用于高于2.2 V的输出电压。 4 启动时间定义为EN的上升沿到VOUT达到其标称值90%的时间。 5 限流阈值定义为输出电压降至额定典型值90%时的电流。例如,3.0 V输出电压的电流限值定义为引起输出电压降至3.0 V的90%或即2.7 V的电流。 推荐规格:输入和输出电容 表2 . 参数 符号 条件 最小 值 典型 值 最大 值 单位 最小输入和输出电容1 C T = −40°C 至 +125°C 0.7 µF MIN A 电容ESR R T = −40°C 至 +125°C 0.001 0.2 Ω ESR A 1 在所 有工作条件下,输入和输出电容至少应大于0.7 μF。选择器件时必须考虑应用的所有工作条件,确保达到最小电容要求。 配合任何LDO使用时,建议使用X7R型和X5R型电容,但不建议使用Y5V和Z5U电容。 Rev. G | Page 4 of 24

ADP160/ADP161/ADP162/ADP163 绝对最大额定值 封装的结至环境热阻(θ )基于使用4层板的建模和计算 表3. JA 方法,主要取决于应用和板布局。在最大功耗较高的应 参数 额定值 VIN 至 GND −0.3 V 至 +6.5 V 用中,需要特别注意热板设计。θJA的值可能随PCB材 VOUT 至 GND −0.3 V 至 VIN 料、布局和环境条件不同而异。θ 额定值基于一个4层、 JA EN 至 GND −0.3 V 至 VIN 4英寸 × 3英寸电路板。有关电路板结构的详细信息,请参考 ADJ 至 GND −0.3 V 至 VIN JESD 51-7和JESD 51-9。更多信息请参阅应用笔记AN-617: NC 至 GND −0.3 V 至 VIN “MicroCSP™晶圆级芯片规模封装”。 存储温度范围 −65°C 至 +150°C 工作结温范围 −40°C 至 +125°C Ψ 是结至板热特性参数,单位为°C/W。封装的Ψ 基于使 工作环境温度范围 −40°C 至 +125°C JB JB 用4层板的建模和计算方法。JESD51-12——“报告和使用电 焊接条件 JEDEC J-STD-020 子封装热信息指南”中声明,热特性参数与热阻不是一回 注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损 事。Ψ 衡量沿多条热路径流动的器件功率,而θ 只涉及一 JB JB 坏。这只是额定最值,并不能以这些条件或者在任何其它 条路径。因此,Ψ 热路径包括来自封装顶部的对流和封装 JB 超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下,推断器件 的辐射,这些因素使得Ψ 在现实应用中更有用。最高结温 JB 能否正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响 (T)由板温度(T )和功耗(P )通过下式计算: J B D 器件的可靠性。 T = T + (P × Ψ ) J B D JB 热数据 有关Ψ 的更详细信息,请参考JESD51-8和JESD51-12。 JB 绝对最大额定值仅适合单独应用,但不适合组合使用。结 热阻 温高于限值时,会损坏ADP16x。监控环境温度并不能保 证T不会超出额定温度限值。在功耗高、热阻差的应用 θJA和ΨJB针对最差条件,即器件焊接在电路板上以实现表贴 J 中,可能必须降低最大环境温度。 封装。 在功耗适中、PCB热阻较低的应用中,只要结温处于额定 表4. 热阻 封装类型 θ Ψ 单位 限值以内,最大环境温度可以超过最大限值。器件的结温 JA JB 5引脚TSOT封装 170 43 °C/W (T)取决于环境温度(T )、器件的功耗(P )和封装的结至环 J A D 4引脚、0.4 mm间距WLCSP封装 260 58 °C/W 境热阻(θ )。 JA 最高结温(T)由环境温度(T )和功耗(P )通过下式计算: ESD警告 J A D ESD(静电放电)敏感器件。 T = T + (P × θ ) J A D JA 带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电。 尽管本产品具有专利或专有保护电路,但在遇到高能 量ESD时,器件可能会损坏。因此,应当采取适当的 ESD防范措施,以避免器件性能下降或功能丧失。 Rev. G | Page 5 of 24

ADP160/ADP161/ADP162/ADP163 引脚配置和功能描述 VIN 1 ADP160/ 5 VOUT ADP162 GND 2 TOP VIEW (Not to Scale) EN 3 4 NC NC = NO CONNECT 08628-004 图4. 5引脚TSOT封装,固定输出引脚配置,ADP160/ADP162 表5. 5引脚TSOT封装引脚功能描述,ADP160/ADP162 引脚编号 名称 描述 1 VIN 稳压器输入电源。使用1 µF或更大的电容旁路VIN至GND。 2 GND 地。 3 EN 使能输入。将EN接到高电平,稳压器启动;将EN接到低电平, 稳压器关闭。若要实现自动启动,请将EN接VIN。 4 NC 不连接。此引脚不在内部连接。 连接至GND或保持开路。 5 VOUT 调节输出电压。使用1 µF或更大的电容旁路VOUT至GND。 VIN 1 ADP161/ 5 VOUT ADP163 GND 2 TOP VIEW (Not to Scale) EN 3 4 ADJ 08628-005 图5. 5引脚TSOT封装,可调输出引脚配置,ADP161/ADP163 表6. 5引脚TSOT封装引脚功能描述,ADP161/ADP163 引脚编号 名称 描述 1 VIN 稳压器输入电源。使用1 µF或更大的电容旁路VIN至GND。 2 GND 地。 3 EN 使能输入。将EN接到高电平,稳压器启动;将EN接到低电平,稳压器关闭。 若要实现自动启动,请将EN接VIN。 4 ADJ 输出电压调节引脚。连接VOUT和GND之间分压器的中点至该引脚, 以设置输出电压。 5 VOUT 调节输出电压。使用1 µF或更大的电容旁路VOUT至GND。 Rev. G | Page 6 of 24

ADP160/ADP161/ADP162/ADP163 1 2 A VIN VOUT ADP160/ ADP162 B EN GND (NToOt Pto V SIEcaWle) 08628-006 图6. 4引脚WLCSP封装引脚配置,ADP160/ADP162 表7. 4引脚WLCSP封装引脚功能描述,ADP160/ADP162 引脚编号 名称 描述 A1 VIN 稳压器输入电源。使用1 µF或更大的电容旁路VIN至GND。 B1 EN 使能输入。将EN接到高电平,稳压器启动;将EN接到低电平,稳压器关闭。 若要实现自动启动,请将EN接VIN。 A2 VOUT 调节输出电压。使用1 µF或更大的电容旁路VOUT至GND。 B2 GND 地。 Rev. G | Page 7 of 24

ADP160/ADP161/ADP162/ADP163 典型性能参数 除非另有说明,V = 3.8 V,V = 3.3 V,I = 1 mA,C = C = 1 ìF,T = 25°C。 IN OUT OUT IN OUT A 3.35 100 3.34 3.33 3.32 µA) T ( 10 V) 3.31 REN (OUT 3.30 CUR V D 3.29 N U O 1 3.28 R LOAD = 1µA G 3.27 LOAD = 100µA LOAD = 1mA LOAD = 10mA LOAD = 10mA LOAD = 1µA LOAD = 100mA 3.26 LOAD = 100mA LOAD = 100µA LOAD = 150mA LOAD = 150mA LOAD = 1mA NO LOAD 3.25 –40 JU–N5CTION TEM25PERATURE8 (5°C) 125 08628-007 0.1 –40 JU–N5CTION TEM25PERATURE8 (5°C) 125 08628-010 图7. 输出电压(V )与结温的关系 图10. 地电流与结温的关系 OUT 3.35 100 3.34 3.33 A) 3.32 µ T ( 10 V) 3.31 REN V (OUT 3.30 D CUR 3.29 N U O 1 3.28 R G 3.27 3.26 3.25 0.1 0.001 0.01 0.1 ILOAD1 (mA) 10 100 1000 08628-008 0.001 0.01 0.1 ILOAD1 (mA) 10 100 1000 08628-011 图8. 输出电压(VOUT)与负载电流(ILOAD)的关系 图11. 地电流与负载电流(ILOAD)的关系 3.35 100 3.34 3.33 3.32 µA) T ( 10 V) 3.31 REN (OUT 3.30 CUR V D 3.29 N U O 1 3.28 R LOAD = 1µA G 3.27 LOAD = 100µA LOAD = 1mA LOAD = 10mA LOAD = 10mA LOAD = 1µA LOAD = 100mA 3.26 LOAD = 100mA LOAD = 100µA LOAD = 150mA LOAD = 150mA LOAD = 1mA NO LOAD 3.25 0.1 3.7 3.9 4.1 4.3 4.5VIN (V4).7 4.9 5.1 5.3 5.5 08628-009 3.7 3.9 4.1 4.3 4.5VIN (V4).7 4.9 5.1 5.3 5.5 08628-012 图9. 输出电压(V )与输入电压(V )的关系 图12. 地电流与输入电压(V )的关系 OUT IN IN Rev. G | Page 8 of 24

ADP160/ADP161/ADP162/ADP163 0.18 140 VIN = 2.9V 0.16 VVIINN == 33..28VV 120 VIN = 4.1V NT (µA) 00..1124 VVIINN == 45..75VV T (µA) 100 E N RR 0.10 RE 80 U R C U WN 0.08 D C 60 HUTDO 0.06 GROUN 40 LOAD = 1mA S 0.04 LOAD = 5mA LOAD = 10mA 20 LOAD = 50mA 0.02 LOAD = 100mA LOAD = 150mA 0 –40 –5 TEMPERA25TURE (°C) 85 125 08628-013 03.1 3.2 3.3 VIN (V) 3.4 3.5 3.6 08628-016 图13. 不同输入电压下关断电流与温度的关系 图16. 低压差下接地电流与输入电压(V )的关系 IN 250 0 LOAD = 150mA VOUT = 2V –10 LOAD = 100mA LOAD = 10mA 200 –20 LOAD = 1mA V) LOAD = 100µA m –30 E ( AG 150 B) –40 OLT R (d –50 V R T S U 100 P –60 O P DRO VOUT = 3.3V –70 50 –80 –90 01 10 ILOAD (mA) 100 100008628-014 –10010 100 1kFREQU1E0NkCY (Hz1)00k 1M 10M 08628-017 图14. 电压差与负载电流(ILOAD)的关系 图17. 电源抑制比与频率的关系(VOUT = 1.2 V,VIN = 2.2 V) 3.35 0 LOAD = 150mA –10 LOAD = 100mA 3.30 LOAD = 10mA –20 LOAD = 1mA LOAD = 100µA 3.25 –30 V (V)OUT 33..2105 PSRR (dB) –––654000 3.10 LOAD = 1mA –70 LOAD = 5mA LOAD = 10mA –80 3.05 LOAD = 50mA LOAD = 100mA –90 LOAD = 250mA 3.003.1 3.2 3.3 VIN (V) 3.4 3.5 3.6 08628-015 –10010 100 1kFREQU1E0NkCY (Hz1)00k 1M 10M 08628-018 图15. 低压差下输出电压(V )与输入电压(V )的关系 图18. 电源抑制比与频率的关系(V = 2.5 V,V = 3.5 V) OUT IN OUT IN Rev. G | Page 9 of 24

ADP160/ADP161/ADP162/ADP163 0 0 LOAD = 150mA –10 –10 LOAD = 100mA LOAD = 10mA –20 –20 LOAD = 1mA LOAD = 100µA –30 –30 B) –40 SRR (dB) ––5400 PSRR (d ––6500 P –60 –70 LOAD = 150mA –70 LOAD = 100mA –80 LOAD = 10mA –80 LOAD = 1mA –90 LOAD = 100µA –90 –10010 100 1kFREQU1E0NkCY (Hz1)00k 1M 10M 08628-019 –10010 100 1kFREQU1E0NkCY (Hz1)00k 1M 10M 08628-052 图19. 电源抑制比与频率的关系,V = 3.3 V,V = 4.3 V 图22. 各种输出电压与负载电流下电源抑制比与 OUT IN 频率的关系,V = 3.3 V,V = 3.8 V OUT IN 0 0 LOAD = 3.3V/150mA LOAD = 150mA –10 LOAD = 2.5V/150mA –10 LOAD = 100mA LOAD = 1.2V/150mA LOAD = 10mA –20 LLOOAADD == 32..35VV//11mmAA –20 LLOOAADD == 11m00AµA LOAD = 1.2V/1mA –30 –30 B) –40 B) –40 d d R ( –50 R ( –50 R R S S P –60 P –60 –70 –70 –80 –80 –90 –90 –10010 100 1kFREQU1E0NkCY (Hz1)00k 1M 10M 08628-020 –10010 100 1kFREQU1E0NkCY (Hz1)00k 1M 10M 08628-021 图20. 各种输出电压与负载电流下电源抑制比与 图23. ADP161可调电源抑制比与频率的关系, 频率的关系,V − V = 1 V V = 3.3 V,V = 4.3 V IN OUT OUT IN 0 1k VOUT = 3.3V –10 VOUT = 2.5V VOUT = 1.2V –20 ADJ 3.3V –30 100 s) RR (dB) ––5400 E (µV rm S S P –60 OI N 10 –70 LOAD = 150mA –80 LOAD = 100mA LOAD = 10mA –90 LOAD = 1mA LOAD = 100µA –10010 100 1kFREQU1E0NkCY (Hz1)00k 1M 10M 08628-051 01.001 0.01 0L.1OAD CUR1RENT (mA1)0 100 100008628-022 图21. 各种输出电压与负载电流下电源抑制比与 图24. 输出噪声与负载电流和输出电压的关系, 频率的关系,V = 2.5 V,V = 3.0 V V = 5 V,C = 1 μF OUT IN IN OUT Rev. G | Page 10 of 24

ADP160/ADP161/ADP162/ADP163 10 T VOUT = 1.2V VOUT = 3.3V VOUT = 2.5V VIN Hz) V/ E (µ 1 S OI N VOUT 2 1 0.110 100 FREQUE1kNCY (Hz) 10k 100k 08628-023 CH1 1V Ω CH2 20mV MT 2 0100µ.2s0% A CH1 4.34V 08628-026 图25. 输出噪声谱密度,V = 5 V,I = 10 mA,C = 1 μF 图28. 线性瞬态响应,VIN = 4 V至5 V, IN LOAD OUT C = C = 1 μF, IN OUT I = 150 mA,CH1 = V ,CH2 = V LOAD IN OUT T LOAD CURRENT T 1 VIN 2 VOUT 2 VOUT 1 CH1 100图mA2 Ω6. 负CH载2 2瞬00态mV响应MT, 2 010C0µ.I4sN0,%COUTA = C1H µ1F , 62mA 08628-024 CH1 1V Ω CH2 20mV MT 2 0100µ.2s0% A CH1 4.56V 08628-027 I = 1 mA至150 mA,200 ns上升时间, LOAD 图29. 线性瞬态响应,V = 4 V至5 V, CH1 = 负载电流,CH2 = V IN OUT C = 1 μF,C = 10 μF,I = 150 mA, IN OUT LOAD CH1 = V ,CH2 = V IN OUT T LOAD CURRENT 1 VOUT 2 CH1 20mA Ω CH2 5mV MT 2 0100µ.4s0% A CH1 24mA 08628-025 图27. 负载瞬态响应,C ,C = 1 µF, IN OUT I = 1 mA至50 mA,200 ns上升时间, LOAD CH1 = 负载电流,CH2 = V OUT Rev. G | Page 11 of 24

ADP160/ADP161/ADP162/ADP163 工作原理 ADP16x是一款超低静态电流、低压差线性稳压器,采用 VIN VOUT 2.2 V至5.5 V电源供电,最大输出电流为150 mA。ADP16x 空载时功耗仅560 nA(典型值),满载时静态电流低至42 μA GND SHORT CIRCUIT, UVLO, AND (典型值),适合用于电池供电的便携式设备。关断电流典 THERMAL PROTECT 型值为50 nA。 ADJ EN SHUTDOWN ADP16x采用最新的创新型设计技术,为数字和RF应用提 REFERENCE 供过优超化低,的利静用态1电 μF流小和型卓陶越瓷的电瞬容态便性可能稳。定此工外作。,ADP16x经 ADP163 08628-054 图33. 内部框图,可调输出,无输出放电功能 ADP16x内置一个基准电压源、一个误差放大器、一个反 VIN VOUT 馈分压器和一个PMOS调整管。输出电流经由PMOS调整管 GND SHUOVRLTO C, IARNCDUIT, R1 R3 提供,其受误差放大器控制。误差放大器比较基准电压与 THERMAL 输出端的反馈电压,并放大该差值。如果反馈电压低于基 PROTECT 准电压,PMOS器件的栅极将被拉低,以便通过更多电 EN SHUTDOWN REFERENCE R2 流,提高输出电压。如果反馈电压高于基准电压,PMOS 器件的栅极将被拉高,以便通过较少电流,降低输出电压。 ADP160 08628-028 ADP161/ADP163的输出电压可在1.0 V至4.2 V范围内调整。 图30. 内部框图,固定输出,带输出放电功能 输出电压由两个外部电阻的比值设置,如图2所示。器件 提供输出,使ADJ引脚的电压维持在1.0 V,以地为参考。R1 VIN VOUT 中的电流等于1.0 V/R2,亦等于R2中的电流加上ADJ引脚的 偏置电流。ADJ引脚的偏置电流(25°C时为10 nA)经R1流入 GND SHUOVRLTO C, IARNCDUIT, R1 ADJ引脚。 THERMAL PROTECT 输出电压通过下式计算: ADJ EN SHUTDOWN REFERENCE VOUT = 1.0 V(1 + R1/R2) + (ADJI-BIAS)(R1) ADP161 08628-030 R出1电的压阻误值差应降低至于最20低0 。kΩ例,如以,便当将RA1D和JR引2脚都偏是置20电0 k流Ω时引,起输的出输 图31. 内部框图,可调输出,带输出放电功能 电压为2.0 V。假设25°C时ADJ引脚偏置电流为10 nA(典型值), 则ADJ引脚偏置电流引起的输出电压误差为2 mV或0.05%。 VIN VOUT GND SHUOVRLTO C, IARNCDUIT, R1 THERMAL PROTECT EN SHUTDOWN REFERENCE R2 ADP162 08628-053 图32. 内部框图,固定输出,无输出放电功能 Rev. G | Page 12 of 24

ADP160/ADP161/ADP162/ADP163 ADI建议使用电阻值较高的R1和 R2,以尽可能降低 迫使输出电压为零。这样,无论LDO是否使能,都能够确 ADP161和ADP163的静态电流。使用1 MΩ的R2以保证总空 保其输出始终处于明确已知状态。ADP162/ADP163不提供 载静态电流低于2 µA。然而,需要注意的是,高阻值的电阻 输出放电功能。 会产生较小的输出电压误差。例如,假设R1和R2为1 MΩ, ADP160/ADP162提供1.2 V至4.2 V范围内的15种输出电压选 输出电压为2 V。考虑到ADJ引脚标称偏置电流为10 nA,则 项。在正常工作条件下,ADP16x利用EN引脚使能或禁用 输出电压误差为0.25%。 VOUT引脚。EN为高电平时,VOUT开启;EN为低电平 注意,在关断模式下,输出关闭,分压器电流为0。 时,VOUT关闭。若要实现自动启动,可将EN接至VIN。 ADP160/ADP161还内置了输出放电电阻,可在LDO禁用时 Rev. G | Page 13 of 24

ADP160/ADP161/ADP162/ADP163 应用信息 电容选择 输入和输出电容特性 输出电容 只要符合最小电容和最大ESR要求,ADP16x可以采用任何 质量良好的电容。陶瓷电容可采用各种各样的电介质制造, ADP16x设计采用节省空间的小型陶瓷电容,但只要注意 温度和所施加的电压不同,其特性也不相同。电容必须具有 有效串联电阻(ESR)值要求,便可以采用大多数常用电容。 足以在必要的温度范围和直流偏置条件下确保最小电容的 输出电容的ESR会影响LDO控制回路的稳定性。为了确保 ADP16x稳定工作,推荐使用至少1 µF、ESR为1 Ω或更小的 电介质。推荐使用额定电压为6.3 V或10 V的X5R或X7R电介 电容。输出电容还会影响负载电流变化的瞬态响应。采用 质。Y5V和Z5U电介质的温度和直流偏置特性不佳,建议 较大的输出电容值可改善ADP16x对大负载电流变化的瞬 不要使用。 态响应。图34和图35分别显示了输出电容值为1 µF和10 µF 图36所示为0402、1 µF、10 V、X5R电容的电容与电压偏置 时的瞬态响应。 特性关系图。电容的电压稳定性受电容尺寸和电压额定值 影响极大。一般来说,封装较大或电压额定值较高的电容 T 具有更好的稳定性。X5R电介质的温度变化率在−40°C至 LOAD CURRENT +85°C温度范围内约为±15%,与封装或电压额定值没有函 1 数关系。 1.2 2 1.0 VOUT F) 0.8 µ E ( C N A 0.6 T CH1 100mA Ω CH2 200mV MT 2 0100µ.4s0% A CH1 62mA 08628-032 CAPACI 0.4 图34. 输出瞬态响应,C = 1 µF, OUT CH1 = 负载电流,CH2 = V OUT 0.2 T LOAD CURRENT 00 2 4VOLTAGE6 8 10 08628-034 图36. 电容与电压关系特性 1 考虑电容随温度、元件容差和电压的变化,可以利用公式 1确定最差情况下的电容。 C = C × (1 − TEMPCO) × (1 − TOL) (1) EFF BIAS 2 其中: VOUT C 为工作电压下的有效电容。 BIAS TEMPCO为最差的电容温度系数。 TOL为最差的元件容差。 CH1 100mA Ω CH2 200mV MT 2 0100µ.0s0% A CH1 74mA 08628-033 本温度例系中数,(假T定EMXP5RC电O)介为质15在%。−4如0°C图至3+6所85示°C,范在围1内.8的 V最电差压条下件, 图35. 输出瞬态响应,C = 10 µF, OUT CH1 = 负载电流,CH2 = V 假定电容容差(TOL)为10%,C =0.94 μF。 OUT BIAS 输入旁路电容 将这些值代入公式1中可得到: 在VIN和GND之间连接一个1 µF电容可以降低电路对PCB布 C µF EFF 局的敏感性,特别是在长输入走线或高源阻抗的情况下。 因此,在选定输出电压条件下,本例中所选电容满足LDO 如果要求输出电容大于1 uF,应选用更高的输入电容。 在温度和容差方面的最小电容要求。 Rev. G | Page 14 of 24

ADP160/ADP161/ADP162/ADP163 为了保证ADP16x的性能,必须针对每一种应用来评估直 图39显示ADP16x的启动性能。 流偏置、温度和容差对电容性能的影响。 图40显示ADP160/ADP161的关断性能。 使能特性 3.5 在正常工作条件下,ADP16x利用EN引脚使能和禁用 3.0 3.3V VOUT引脚。如图37所示,当EN上的上升电压越过有效阈 V) 2.5 值时,VOUT开启。当EN上的下降电压越过无效阈值时, (UT 2.5V O VOUT关闭。 E/V 2.0 G A EN 4.5 LT 1.5 O V 4.0 EN 1.0 1.2V 3.5 0.5 3.0 V (V)OUT 22..50 00 500 1000 1500 20T0IM0E (2µ5s0)0 3000 3500 4000 4500 08628-037 图39. 典型启动性能(ADP16x) 1.5 1.0 4.5 0.5 4.0 COUT = 1µF 00.5 0.7图37. ENE0N引.9 V脚OL典TA型GE工1 .(1V作) 方式1.3 1.5 08628-035 (V)OUT 33..50 E/V 2.5 如图37所示,EN引脚本身具有迟滞特性,这可防止EN引 TAG 2.0 EN 4.2V L O 脚上的噪声在经过阈值点时引起开关振荡。 V N 1.5 E EN引脚的有效/无效阈值是从VIN电压获得。因此,这些 1.0 1.2V 阈值会随输入电压而变化。图38显示输入电压从2.2 V变化到 0.5 5.5 V时1.E1N引脚的典型有效/无效阈值。 00 200 400TIME (µs)600 800 1000 08628-038 图40. 典型关断性能,空载(ADP160/ADP161) 1.0 限流和热过载保护 ADP16x内置限流和热过载保护电路,可防止器件功耗过 V) 0.9 E ( EN RISE 大导致受损。当输出负载达到320 mA(典型值)时,限流电路 G TA 0.8 就会起作用。当输出负载超过320 mA时,输出电压会被降 L O N V EN FALL 低,以保持恒定的电流限制。 E 0.7 热过载保护电路将结温限制在150℃(典型值)以下。在极端 0.6 条件下(即高环境温度和高功耗),当结温开始升至150°C以 上时,输出就会关闭,从而将输出电流降至0。当结温降至 0.52.0 2.5 3.0INPUT VO3.L5TAGE (V4).0 4.5 5.0 08628-036 135°C以下时,输出又会开启,输出电流恢复为标称值。 图38. EN引脚典型阈值与输入电压的关系 Rev. G | Page 15 of 24

ADP160/ADP161/ADP162/ADP163 考虑OUT至地发生负载短路的情况。首先,ADP16x的限 表9. 典型Ψ 值 JB 流功能起作用,因此,仅有320 mA电流传导至短路电路。 ΨJB (°C/W) TSOT WLCSP 如果结的自发热量足够大,使其温度升至150°C以上,热 42.8 58.4 关断功能就会激活,输出关闭,输出电流降至0。当结温 冷却下来,降至135°C以下时,输出开启,将320 mA电流传 ADP16x的结温可通过下式计算: 导至短路路径中,再次导致结温升至150℃以上。结温在 TJ = TA + (PD × θJA) (2) 135℃至150℃范围内的热振荡导致电流在320 mA和0 mA之 其中: 间振荡;只要输出端存在短路,振荡就会持续下去。 T 是环境温度。 A P 为芯片的功耗,通过下式计算: 限流和热过载保护旨在保护器件免受偶然过载条件影响。 D P = [(V − V ) × I ] + (V × I ) (3) 为保证器件稳定工作,必须从外部限制器件的功耗,使结 D IN OUT LOAD IN GND 温不会超过125°C。 其中: I 为负载电流。 散热考虑 LOAD I 为接地电流。 ADP16x的效率很高,在多数应用中不会产生大量热量。 GND V 和V 分别为输入和输出电压。 然而,在环境温度很高且电源电压与输出电压差很大的应 IN OUT 接地电流引起的功耗相当小,可忽略不计。因此,结温的 用中,封装发出的热量可能非常大,导致芯片结温超过最 计算公式可简化为: 高结温125°C。 T = T + {[(V − V ) × I ] × θ } (4) J A IN OUT LOAD JA 当结温超过150℃时,转换器进入热关断模式。只有当结 如等式4所示,针对给定的环境温度、输入与输出电压差 温降至135℃及以下时,它才会恢复,以免永久性受损。 和连续负载电流,需满足PCB的最小覆铜尺寸要求,以确 因此,为了保证器件在所有条件下具有可靠性能,必须对 保结温不升至125°C以上。图41至图48显示不同环境温 具体应用进行热分析。芯片的结温为环境温度与功耗所引 度、负载电流、V 至V 压差及PCB覆铜面积下的结温计 起的封装温升之和,如公式2所示。 IN OUT 算结果。 为保证器件可靠工作,ADP16x的结温不得超过125°C。为 在已知板温的情况下,可以利用热特性参数(Ψ )来估算结 确保结温低于此最高结温,用户需要注意会导致结温变化 JB 温上升情况(见图49和图50)。最高结温(T)可由板温度(T ) 的参数。这些参数包括环境温度、功率器件的功耗、结与 J B 和功耗(P )通过下式计算: 周围空气之间的热阻(θ )。θ 值取决于所用的封装填充物 D JA JA 和将封装GND引脚焊接到PCB所用的覆铜数量。表8给出 T = T + (P × Ψ ) (5) J B D JB 了各种PCB覆铜尺寸时5引脚TSOT和4引脚WLCSP封装的 4引脚WLCSP封装的Ψ 典型值为58℃/W,5引脚TSOT封装 典型θ 值。表9给出了5引脚TSOT和4引脚WLCSP封装的典 JB JA 为43℃/W。 型Ψ 值。 JB 表8. 典型θ 值 140 JA MAXIMUM JUNCTION TEMPERATURE θ (°C/W) JA 覆铜面积(mm2) TSOT WLCSP C)120 01 170 260 E, T (°J100 50 152 159 R U T 100 146 157 A 80 R E 300 134 153 P M E 60 500 131 151 T N O 1 器件焊接在最小尺寸引脚走线上。 CTI 40 N U J 20 ILOAD = 1mA ILOAD = 100mA ILOAD = 10mA ILOAD = 150mA ILOAD = 50mA ILOAD = 200mA 0 0.3 0.8 1.3 1.8 VIN2 .–3 VOU2T. 8(V) 3.3 3.8 4.3 4.8 08628-039 图41. WLCSP封装 500 mm2 PCB覆铜,T = 25℃ A Rev. G | Page 16 of 24

ADP160/ADP161/ADP162/ADP163 140 140 MAXIMUM JUNCTION TEMPERATURE MAXIMUM JUNCTION TEMPERATURE C)120 C)120 E, T (°J100 E, T (°J100 R R U U T T A 80 A 80 R R E E P P M M E 60 E 60 T T N N O O TI 40 TI 40 C C N N U U J 20 ILOAD = 1mA ILOAD = 100mA J 20 ILOAD = 1mA ILOAD = 100mA ILOAD = 10mA ILOAD = 150mA ILOAD = 10mA ILOAD = 150mA ILOAD = 50mA ILOAD = 200mA ILOAD = 50mA ILOAD = 200mA 0 0 0.3 0.8 1.3 1.8 VIN2 .–3 VOU2T. 8(V) 3.3 3.8 4.3 4.8 08628-040 0.3 0.8 1.3 1.8 VIN2 .–3 VOU2T. 8(V) 3.3 3.8 4.3 4.8 08628-043 图42. WLCSP封装 100 mm2 PCB覆铜,T = 50℃ 图45. TSOT封装 500 mm2 PCB覆铜,T = 25℃ A A 140 140 MAXIMUM JUNCTION TEMPERATURE MAXIMUM JUNCTION TEMPERATURE C)120 C)120 E, T (°J100 E, T (°J100 R R U U T T A 80 A 80 R R E E P P M M E 60 E 60 T T N N O O TI 40 TI 40 C C N N U U J 20 ILOAD = 1mA ILOAD = 100mA J 20 ILOAD = 1mA ILOAD = 100mA ILOAD = 10mA ILOAD = 150mA ILOAD = 10mA ILOAD = 150mA ILOAD = 50mA ILOAD = 200mA ILOAD = 50mA ILOAD = 200mA 0 0 0.3 0.8 1.3 1.8 VIN2 .–3 VOU2T. 8(V) 3.3 3.8 4.3 4.8 08628-041 0.3 0.8 1.3 1.8 VIN2 .–3 VOU2T. 8(V) 3.3 3.8 4.3 4.8 08628-044 图43. WLCSP封装 500 mm2 PCB覆铜,T = 85℃ 图46. TSOT封装 100 mm2 PCB覆铜,T = 25℃ A A 140 140 MAXIMUM JUNCTION TEMPERATURE MAXIMUM JUNCTION TEMPERATURE E, T (°C)J112000 RE, T (°C)J112000 R U U T AT 80 RA 80 R E E P P M EM 60 TE 60 JUNCTION T 420000.3 0.8 1.3IIILLLOOOAAADDD1. 8=== 115m00VmmIAN2AA .–3 VOU2T. 8(IIIVLLL)OOOAAA3DDD. 3=== 1120500003mmm.8AAA 4.3 4.8 08628-042 JUNCTION 420000.3 0.8 1.3IIILLLOOOAAADDD1. 8=== 115m00VmmIAN2AA .–3 VOU2T. 8(IIIVLLL)OOOAAA3DDD. 3=== 1120500003mmm.8AAA 4.3 4.8 08628-045 图44. WLCSP封装 100 mm2 PCB覆铜,T = 50℃ 图47. TSOT封装 500 mm2 PCB覆铜,T = 50℃ A A Rev. G | Page 17 of 24

ADP160/ADP161/ADP162/ADP163 140 输入电容应尽可能靠近VIN和GND引脚放置。输出电容应 MAXIMUM JUNCTION TEMPERATURE 尽可能靠近VOUT和GND引脚放置。在板面积受限的情况 C)120 RE, T (°J100 案下。, 采用0402或0603电容和电阻可实现最小尺寸解决方 U T RA 80 WLCSP封装的光敏度 E P EM 60 WLCSP封装选项本质上是一个附有后制造电介质并经过金 T ON 属处理,以便接触芯片活性面上的焊接凸点的硅片。采用 TI 40 C N 此类封装时,芯片暴露于环境光线下,会发生光电效应。 U J 20 ILOAD = 1mA ILOAD = 100mA 对安装在标准PCB材料上的WLCSP封装产品进行光敏度分 ILOAD = 10mA ILOAD = 150mA 0 ILOAD = 50mA ILOAD = 200mA 析发现:当高强度光线直接照射封装时,性能可能受到影 0.3 0.8 1.3 1.8 VIN2 .–3 VOU2T. 8(V) 3.3 3.8 4.3 4.8 08628-046 响。在低强度(0.1 mW/cm2)环境光照射下,没有观察到电 图48. TSOT封装 100 mm2 PCB覆铜,TA = 50℃ 气性能的下降。直射太阳光线的强度可达50 mW/cm2,办 公室环境光的强度可能低至0.1 mW/cm2。 140 MAXIMUM JUNCTION TEMPERATURE 在电路板上装配WLCSP封装产品时,如果芯片的凸点侧面 E, T (°C)J112000 对导致PC漏B,电则流P变C大B表。面W反LC射SP的封光装线背会面照(基射板在)活的性照硅射电不路会引上起, R U T 性能下降。 A 80 R E P EM 60 所有WLCSP封装产品都对波长在近红外范围(NIR,700 nm T ON 至1000 nm)的入射光线特别敏感。此波段内的光子比可见 TI 40 NC 光(400 nm至700 nm)和近紫外(NUV,200 nm至400 nm)波 U J 20 ILOAD = 1mA ILOAD = 100mA 段内的光子波长更长、能量更低,可以更深地穿透活性 ILOAD = 10mA ILOAD = 150mA ILOAD = 50mA ILOAD = 200mA 硅。 0 0.3 0.8 1.3 1.8 VIN2 .–3 VOU2T. 8(V) 3.3 3.8 4.3 4.8 08628-047 波长大于1100 nm的入射光线不会在硅器件上引起光电效 图49. WLCSP封装,TA = 85°C 应,因为对于该范围内的波长,硅是透明的。 140 传统光源的频谱成分各不相同。太阳光的频谱范围非常 MAXIMUM JUNCTION TEMPERATURE 宽,峰值强度出现在可见光波段及两边的近紫外和近红外 C)120 E, T (°J100 波紫段外;或荧近光红灯外的波峰段值。强钨度丝仅灯出光现在在较可长见的光可波见段光,波不长包内括具近有 R U T A 80 宽尖峰,在NIR内具有明显的尾巴。 R E P M E 60 已经在产品层次上采取措施以降低环境光的影响,凸点下 T N O 金属(UBM)能够保护芯片活性面(凸点侧)上的敏感电路区 TI 40 C UN 域。然而,如果WLCSP的应用遇到光敏性问题,用不透光 J 20 IILLOOAADD == 11m0mAA IILLOOAADD == 110500mmAA 材料将WLCSP封装的凸点侧屏蔽起来应当能消除影响。屏 0 ILOAD = 50mA ILOAD = 200mA 蔽可以利用倒装芯片底部填充技术所用的填硅液态环氧树 0.3 0.8 1.3 1.8 VIN2 .–3 VOU2T. 8(V) 3.3 3.8 4.3 4.8 08628-048 脂等材料实现。 图50. TSOT封装,T = 85°C A PCB布局考虑 通过增加ADP16x引脚处的覆铜用量,可改善封装的散热性 能。但是,如表8所示,这种增加存在“效益递减”现象,超 过某一点后,覆铜尺寸的增加便不会带来明显的散热效益。 Rev. G | Page 18 of 24

ADP160/ADP161/ADP162/ADP163 08628-049 图51. 5引脚TSOT PCB布局示例 08628-050 图52. 4引脚WLCSP PCB布局示例 Rev. G | Page 19 of 24

ADP160/ADP161/ADP162/ADP163 外形尺寸 2.90 BSC 5 4 1.60 BSC 2.80 BSC 1 2 3 0.95 BSC 1.90 *0.90 MAX BSC 0.70 MIN *1.00 MAX 0.20 0.08 8° 0.10 MAX 0.50 SEATING 4° 0.60 0.30 PLANE 0° 0.45 0.30 *CTHOEM PELXICAENPTT TIOON J OEDF EPCA CSTKAANGDEA HREDIGS HMTO A-1N9D3 -TAHBICWKINTHESS. 100708-A 图53. 5引脚超薄小型晶体管封装[TSOT] (UJ-5) 图示尺寸单位:mm 1.000 0.965 SQ 0.925 A BALLA1 IDENTIFIER 0.50 B REF TOP VIEW BOTTOM VIEW (BALL SIDE DOWN) (BALL SIDE UP) 0.370 0.640 0.355 0.595 END VIEW 0.340 0.550 COPLANARITY 0.03 SEPALTAINNGE 000...333420000 000...222741000 04-17-2012-A 图54. 4引脚晶圆级芯片规模封装[WLCSP] (CB-4-1) 图示尺寸单位:mm Rev. G | Page 20 of 24

ADP160/ADP161/ADP162/ADP163 订购指南 型号1 温度范围 输出电压(V) 封装描述 封装选项 标识 ADP160ACBZ-1.2-R7 −40°C 至 +125°C 1.2 4 引脚WLCSP封装 CB-4-1 5K ADP160ACBZ-1.5-R7 −40°C 至 +125°C 1.5 4 引脚WLCSP封装 CB-4-1 5L ADP160ACBZ-1.8-R7 −40°C 至 +125°C 1.8 4 引脚WLCSP封装 CB-4-1 5N ADP160ACBZ-2.1-R7 −40°C 至 +125°C 2.1 4 引脚WLCSP封装 CB-4-1 5P ADP160ACBZ-2.3-R7 −40°C 至 +125°C 2.3 4 引脚WLCSP封装 CB-4-1 AH ADP160ACBZ-2.5-R7 −40°C 至 +125°C 2.5 4 引脚WLCSP封装 CB-4-1 5Q ADP160ACBZ-2.7-R7 −40°C 至 +125°C 2.7 4 引脚WLCSP封装 CB-4-1 AM ADP160ACBZ-2.75-R7 −40°C 至 +125°C 2.75 4 引脚WLCSP封装 CB-4-1 5R ADP160ACBZ-2.8-R7 −40°C 至 +125°C 2.8 4 引脚WLCSP封装 CB-4-1 5S ADP160ACBZ-2.85-R7 −40°C 至 +125°C 2.85 4 引脚WLCSP封装 CB-4-1 5T ADP160ACBZ-3.0-R7 −40°C 至 +125°C 3.0 4 引脚WLCSP封装 CB-4-1 5U ADP160ACBZ-3.3-R7 −40°C 至 +125°C 3.3 4 引脚WLCSP封装 CB-4-1 5V ADP160ACBZ-4.2-R7 −40°C 至 +125°C 4.2 4 引脚WLCSP 封装 CB-4-1 6U ADP160AUJZ-1.2-R7 −40°C 至 +125°C 1.2 5 引脚TSOT封 装 UJ-5 LDQ ADP160AUJZ-1.5-R7 −40°C 至 +125°C 1.5 5 引脚TSOT封 装 UJ-5 LDR ADP160AUJZ-1.8-R7 −40°C 至 +125°C 1.8 5 引脚TSOT封 装 UJ-5 LE0 ADP160AUJZ-2.3-R7 −40°C 至 +125°C 2.3 5 引脚TSOT封 装 UJ-5 LLP ADP160AUJZ-2.5-R7 −40°C 至 +125°C 2.5 5 引脚TSOT封 装 UJ-5 LFZ ADP160AUJZ-2.7-R7 −40°C 至 +125°C 2.7 5 引脚TSOT封 装 UJ-5 LJF ADP160AUJZ-2.8-R7 −40°C 至 +125°C 2.8 5 引脚TSOT封 装 UJ-5 LG0 ADP160AUJZ-3.0-R7 −40°C 至 +125°C 3.0 5 引脚TSOT封 装 UJ-5 Y2U ADP160AUJZ-3.3-R7 −40°C 至 +125°C 3.3 5 引脚TSOT封 装 UJ-5 LG1 ADP160AUJZ-4.2-R7 −40°C 至 +125°C 4.2 5 引脚TSOT封 装 UJ-5 LGY ADP161AUJZ-R7 −40°C 至 +125°C 可调 5 引脚TSOT封 装 UJ-5 LHW ADP162ACBZ-1.2-R7 −40°C 至 +125°C 1.2 4 引脚WLCSP封装 CB-4-1 70 ADP162ACBZ-1.8-R7 −40°C 至 +125°C 1.8 4 引脚WLCSP封装 CB-4-1 71 ADP162ACBZ-2.1-R7 −40°C 至 +125°C 2.1 4 引脚WLCSP封装 CB-4-1 72 ADP162ACBZ-2.3-R7 −40°C 至 +125°C 2.3 4 引脚WLCSP封装 CB-4-1 BC ADP162ACBZ-2.8-R7 −40°C 至 +125°C 2.8 4 引脚WLCSP封装 CB-4-1 73 ADP162ACBZ-3.0-R7 −40°C 至 +125°C 3.0 4 引脚WLCSP封装 CB-4-1 74 ADP162ACBZ-4.2-R7 −40°C 至 +125°C 4.2 4 引脚WLCSP封装 CB-4-1 75 ADP162AUJZ-1.5-R7 −40°C 至 +125°C 1.5 5 引脚TSOT封装 UJ-5 LH9 ADP162AUJZ-1.8-R7 −40°C 至 +125°C 1.8 5 引脚TSOT封装 UJ-5 LLN ADP162AUJZ-2.3-R7 −40°C 至 +125°C 2.3 5 引脚TSOT封装 UJ-5 LLQ ADP162AUJZ-2.5-R7 −40°C 至 +125°C 2.5 5 引脚TSOT封装 UJ-5 LHB ADP162AUJZ-2.7-R7 −40°C 至 +125°C 2.7 5 引脚TSOT封装 UJ-5 LJK ADP162AUJZ-2.8-R7 −40°C 至 +125°C 2.8 5 引脚TSOT封装 UJ-5 LHC ADP162AUJZ-3.0-R7 −40°C 至 +125°C 3.0 5 引脚TSOT封装 UJ-5 LHD ADP162AUJZ-3.3-R7 −40°C 至 +125°C 3.3 5 引脚TSOT封装 UJ-5 LHE ADP162AUJZ-4.2-R7 −40°C 至 +125°C 4.2 5 引脚TSOT封装 UJ-5 LHF ADP163AUJZ-R7 −40°C 至 +125°C 可调 5 引脚TSOT封装 UJ-5 LHG ADP160UJZ-REDYKIT 评估板套件 ADP162UJZ-REDYKIT 评估板套件 ADP161UJ-EVALZ 评估板 ADP163UJ-EVALZ 评估板 1 Z = 符合RoHS标准的器件。 Rev. G | Page 21 of 24

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