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  • 型号: 2SC5536A-TL-H
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5536A-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5536A-TL-H价格参考。ON Semiconductor2SC5536A-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SC5536A-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SC5536A-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2SC5536A-TL-H 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高频双极性晶体管(BJT),主要用于射频(RF)放大应用。该晶体管具有良好的高频特性,适合在无线通信系统中使用。

其主要应用场景包括:

1. 无线基站射频功率放大器:用于4G/5G通信基站中的射频信号放大,提供高线性度和输出功率,确保信号传输的稳定性与覆盖范围。

2. 射频测试设备:用于射频信号发生器、频谱分析仪等测试仪器中,作为信号放大或转换的关键元件。

3. 工业通信系统:如点对点微波通信、无线接入系统等,承担射频信号的前级或驱动级放大功能。

4. 广播与电视发射设备:用于广播发射机中的射频放大模块,提升信号发射效率。

5. 军事与航空航天通信设备:因其高频性能稳定,也可用于对可靠性要求较高的军用通信系统中。

该晶体管采用SOT-89封装,便于散热和高频应用中的电路集成,适合高频率(数百MHz至GHz级)工作环境。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN BIPO 50MA 12V SSFP

产品分类

RF 晶体管 (BJT)

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

2SC5536A-TL-H

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 3mA,2V

供应商器件封装

3-SSFP

功率-最大值

100mW

包装

带卷 (TR)

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

1.8dB @ 150MHz

增益

16dB

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-81

晶体管类型

NPN

标准包装

8,000

电压-集射极击穿(最大值)

12V

电流-集电极(Ic)(最大值)

50mA

频率-跃迁

1.7GHz

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