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产品简介:
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2SC5536A-TL-H 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高频双极性晶体管(BJT),主要用于射频(RF)放大应用。该晶体管具有良好的高频特性,适合在无线通信系统中使用。 其主要应用场景包括: 1. 无线基站射频功率放大器:用于4G/5G通信基站中的射频信号放大,提供高线性度和输出功率,确保信号传输的稳定性与覆盖范围。 2. 射频测试设备:用于射频信号发生器、频谱分析仪等测试仪器中,作为信号放大或转换的关键元件。 3. 工业通信系统:如点对点微波通信、无线接入系统等,承担射频信号的前级或驱动级放大功能。 4. 广播与电视发射设备:用于广播发射机中的射频放大模块,提升信号发射效率。 5. 军事与航空航天通信设备:因其高频性能稳定,也可用于对可靠性要求较高的军用通信系统中。 该晶体管采用SOT-89封装,便于散热和高频应用中的电路集成,适合高频率(数百MHz至GHz级)工作环境。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS NPN BIPO 50MA 12V SSFP |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2SC5536A-TL-H |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 3mA,2V |
供应商器件封装 | 3-SSFP |
功率-最大值 | 100mW |
包装 | 带卷 (TR) |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 1.8dB @ 150MHz |
增益 | 16dB |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-81 |
晶体管类型 | NPN |
标准包装 | 8,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 12V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 50mA |
频率-跃迁 | 1.7GHz |