Datasheet下载- 型号： BFG410W,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG410W,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG410W,115价格参考。NXP SemiconductorsBFG410W,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFG410W,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFG410W,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFG410W,115是由NXP USA Inc.生产的一款射频双极晶体管（BJT），广泛应用于高频和射频领域。该器件适用于工作频率较高的无线通信系统，如蜂窝基站、广播设备和工业通信设备中的射频功率放大器。 此型号具备良好的线性度与高增益特性，使其在需要高保真信号放大的场景中表现出色，例如调频广播发射机和多通道分配系统。同时，它也可用于UHF频段的射频信号处理，适合对性能和稳定性有较高要求的工业级应用。 BFG410W,115采用SOT-343封装，体积小巧，便于集成于紧凑型电路设计中，并具有良好的热稳定性和可靠性，适合长时间运行的高性能射频设备使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 4.5V 22GHZ SOT343R射频双极晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFG410W,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFG410W,115 |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 10mA，2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | CMPAK-4 |
| 其它名称 | 568-1980-6 |
| 功率-最大值 | 54mW |
| 功率耗散 | 54 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 1 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz |
| 增益 | 21dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 封装/箱体 | SOT-343 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 22000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.012 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 4.5V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 12mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 4.5 V |
| 集电极连续电流 | 0.012 A |
| 零件号别名 | BFG410W T/R |
| 频率 | 22000 MHz |
| 频率-跃迁 | 22GHz |
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