Datasheet下载- 型号： BFP182WH6327XTSA1
- 制造商： Infineon
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFP182WH6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFP182WH6327XTSA1价格参考。InfineonBFP182WH6327XTSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFP182WH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFP182WH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 BFP182WH6327XTSA1 是一款高频硅锗碳双极结型晶体管（RF BJT），主要用于射频（RF）放大和信号处理应用。该器件采用先进的 SOT-343 封装，具有优异的高频性能和良好的热稳定性，适用于工作频率高达数GHz的无线通信系统。 典型应用场景包括： 1. 无线通信设备：广泛用于GSM、CDMA、WCDMA、LTE等移动通信基站和终端模块中的低噪声放大器（LNA）和驱动放大器； 2. 物联网（IoT）模块：适用于Wi-Fi、蓝牙、ZigBee等短距离无线通信系统，提供高增益和低功耗特性； 3. 射频识别（RFID）系统：在读写器电路中作为高频信号放大元件，提升接收灵敏度与传输距离； 4. 汽车电子通信模块：如车载远程信息处理（Telematics）、V2X 通信单元中，支持稳定可靠的射频信号放大； 5. 工业与消费类射频设备：可用于传感器无线传输、遥控装置、小型中继器等需要高性能射频放大的场合。 BFP182WH6327XTSA1 具有高增益、低噪声系数和优良的线性度，能够在低电压下稳定工作，适合对功耗和空间敏感的应用。其高可靠性和一致性也使其成为工业级和汽车级设计中的优选器件。总体而言，该晶体管适用于需要高性能、小尺寸和低功耗的现代射频系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 射频双极晶体管 |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Infineon Technologies BFP182WH6327XTSA1 |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 产品型号 | BFP182WH6327XTSA1 |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 发射极-基极电压VEBO | 2 V |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-343 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 8 GHz |
| 最大直流电集电极电流 | 35 mA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 12 V |
| 集电极连续电流 | 35 mA |
| 零件号别名 | 182W BFP H6327 SP000745176 |
| 频率 | 8 GHz |
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