ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > MMBTH10LT1G
Datasheet下载- 型号： MMBTH10LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTH10LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTH10LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBTH10LT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 25V 650MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBTH10LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBTH10LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBTH10LT1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），属于NPN型小信号晶体管，采用SOT-23封装，具有低噪声、高增益和优良的高频特性。该器件主要适用于高频模拟信号放大和射频应用场合。 典型应用场景包括： 1. 无线通信设备：广泛用于手机、无线模块、Wi-Fi、蓝牙和ZigBee等短距离无线通信系统中的射频放大电路，如低噪声放大器（LNA）和驱动放大器。 2. 射频接收前端：因其低噪声系数和高增益特性，适合用于接收机前端的高频信号放大，提升接收灵敏度。 3. 物联网（IoT）设备：在各类低功耗、小型化无线传感器节点中，用于射频信号处理与放大。 4. 消费类电子产品：如遥控器、无线耳机、智能家居控制模块等需要射频功能的便携式设备。 5. 射频识别（RFID）系统：可用于读写器中的射频信号放大与调制解调电路。 MMBTH10LT1G工作频率可达数百MHz，具备良好的热稳定性和可靠性，同时符合RoHS环保标准，适合自动化贴片生产。其小封装形式有助于节省PCB空间，非常适合对尺寸和功耗敏感的高频应用。总体而言，该器件是一款经济高效、性能稳定的射频晶体管，广泛应用于各类中低功率射频放大场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23两极晶体管 - BJT 25V VHF Mixer NPN |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBTH10LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBTH10LT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 4mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBTH10LT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | - |
| 增益带宽产品fT | 650 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 25V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | MMBTH10L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 25 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 频率-跃迁 | 650MHz |
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