Datasheet下载- 型号： BFP840ESDH6327XTSA1
- 制造商： Infineon
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFP840ESDH6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFP840ESDH6327XTSA1价格参考。InfineonBFP840ESDH6327XTSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFP840ESDH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFP840ESDH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 BFP840ESDH6327XTSA1 是一款高性能射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于高频、低噪声放大应用。该器件基于先进的 SiGe 技术，具有优异的射频性能，适用于工作频率高达数GHz的无线通信系统。 典型应用场景包括： - 无线基础设施：用于蜂窝基站中的低噪声放大器（LNA）和增益级放大器，支持 GSM、UMTS、LTE 和 5G 等通信标准。 - 微波点对点通信：在高频率传输系统中实现信号的高效放大与处理。 - 宽带通信系统：适用于需要宽频带响应的射频前端模块，如 Wi-Fi 接入点、毫米波回传等。 - 雷达与传感器系统：在汽车雷达或工业传感中，用于增强微弱射频信号的接收灵敏度。 - 测试与测量设备：作为高频信号链中的关键放大元件，提升仪器的信号完整性。 BFP840ESDH6327XTSA1 具有低噪声系数、高增益和良好的线性度，可在高频环境下稳定工作，适合对性能要求严苛的射频设计。其采用小型化 SOT363 封装，节省PCB空间，便于集成于紧凑型射频模块中。广泛应用于现代通信设备和高频电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 射频双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Infineon Technologies BFP840ESDH6327XTSA1 |
| 产品型号 | BFP840ESDH6327XTSA1 |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 功率耗散 | 75 mW |
| 发射极-基极电压VEBO | 2.9 V |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-343-4 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | SiGe |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 80 GHz |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 类型 | RF Silicon Germanium |
| 系列 | BFP840 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 2.25 V |
| 集电极连续电流 | 35 mA |
| 零件号别名 | SP000943010 |
| 频率 | 80 GHz |
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