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Datasheet下载- 型号： BFG35,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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BFG35,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG35,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG35,115价格参考。NXP SemiconductorsBFG35,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 18V 150mA 4GHz 1W Surface Mount SOT-223。您可以下载BFG35,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFG35,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 BFG35,115 的晶体管由 NXP USA Inc. 生产，属于 射频双极结型晶体管（RF BJT）。该器件广泛应用于 射频（RF）放大电路 和 高频电子系统 中。 具体应用场景包括： 1. 射频功率放大器：用于无线通信设备中，如基站、广播发射机等，作为信号放大的核心元件。 2. 高频振荡器与混频器：在通信系统和测试仪器中用于生成或处理高频信号。 3. 模拟射频前端模块：常见于老式通信设备或工业控制系统中，执行信号调制与解调功能。 4. 业余无线电设备：用于爱好者级别的发射装置中，作为输出级放大使用。 5. 工业与测试设备：如频谱分析仪、信号发生器等，承担高频信号处理任务。 该晶体管适用于工作频率达数百兆赫兹（MHz）的电路，具有良好的线性度和稳定性，适合中低功率射频应用。尽管随着技术进步，部分设计已转向使用MOSFET或GaAs器件，但BFG35仍因其可靠性和成熟性保留在一些传统系统或维修替换场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 10V 150MA SOT223射频双极晶体管 NPN 10V 150mA 4GHZ |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFG35,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFG35,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 25 @ 100mA，10V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-6187-1 |
| 功率-最大值 | 1W |
| 功率耗散 | 1000 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 2 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 4000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 18V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 18 V |
| 集电极连续电流 | 0.15 A |
| 零件号别名 | BFG35 T/R |
| 频率 | 4000 MHz |
| 频率-跃迁 | 4GHz |
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