Datasheet下载- 型号： 2SC5231A-8-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5231A-8-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5231A-8-TL-E价格参考。ON Semiconductor2SC5231A-8-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SC5231A-8-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC5231A-8-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC5231A-8-TL-E是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款高频双极结型晶体管（BJT），主要应用于射频（RF）领域。该晶体管具有良好的高频特性和稳定性能，适用于需要高效、高频率响应的电路设计。 其主要应用场景包括： 1. 无线通信设备：如基站、无线接入点等，用于信号放大和处理，支持高频段的无线数据传输。 2. 射频功率放大器：在射频发射系统中，用于放大射频信号，确保信号传输的稳定性和覆盖范围。 3. 广播设备：如调频广播发射器中的前置放大或驱动放大电路。 4. 测试仪器：在射频测试设备中作为关键放大元件，用于信号增强和测量。 5. 工业控制与传感系统：在需要高频信号处理的工业自动化系统中，用于射频信号的调制与解调。 该晶体管采用表面贴装封装（如SOT-89），适用于自动化生产，广泛用于高频、中低功率射频电路中。其高增益和良好的频率响应特性使其在射频前端设计中具有较高性价比优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO VHF-UHF SMCP两极晶体管 - BJT HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SC5231A-8-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SC5231A-8-TL-E |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 90 @ 20mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SMCP |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 2 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1dB @ 1GHz |
| 增益 | 12dB |
| 增益带宽产品fT | 7 GHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | SMCP |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 100 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 10V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 70mA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 180 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 90 |
| 系列 | 2SC5231A |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 10 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 20 V |
| 集电极连续电流 | 70 mA |
| 频率-跃迁 | 7GHz |
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