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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BFP 740FESD E6327由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFP 740FESD E6327价格参考。InfineonBFP 740FESD E6327封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BFP 740FESD E6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFP 740FESD E6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 BFP740FESD E6327 是一款高性能射频双极结型晶体管(RF BJT),主要用于高频、低噪声放大应用。该器件基于先进的硅锗碳(SiGe:C)技术,具备优异的高频特性与低噪声系数,适用于工作频率高达数GHz的无线通信系统。 典型应用场景包括: 1. 无线基础设施:用于蜂窝基站的低噪声放大器(LNA),支持GSM、UMTS、LTE及5G通信标准,提升接收灵敏度。 2. 微波点对点通信:在高频段(如2–6 GHz)用于信号接收前端,实现稳定、高增益放大。 3. 卫星通信系统:凭借低噪声和高线性度,适用于地面站和终端设备中的射频接收模块。 4. 宽带无线接入:应用于WiMAX、固定无线接入(FWA)等系统中,增强信号接收性能。 5. 测试与测量设备:作为高频信号放大元件,用于频谱分析仪、信号发生器等精密仪器。 BFP740FESD 集成ESD保护结构,提高了器件的可靠性与抗静电能力,适合在复杂电磁环境中长期稳定运行。其小型化封装(如SOT343)节省PCB空间,便于高密度布局,广泛适用于现代紧凑型射频模块设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF NPN 47GHZ 4.7V TSFP4 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bfp740fesd.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30432968c552012992c96aaa54cd |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BFP 740FESD E6327 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 25mA,3V |
| 供应商器件封装 | 4-TSFP |
| 其它名称 | BFP 740FESD E6327DKR |
| 功率-最大值 | 160mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz |
| 增益 | 9dB ~ 31dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-SMD,扁平引线 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 4.7V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 45mA |
| 频率-跃迁 | 47GHz |