Datasheet下载- 型号： MRF5812GR2
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5812GR2由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5812GR2价格参考。American Microsemiconductor, Inc.MRF5812GR2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5812GR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5812GR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的MRF5812GR2是一款射频双极结型晶体管（RF BJT），属于高性能射频功率放大器器件。该型号主要应用于需要高线性度和高效率的射频信号放大场景。 典型应用场景包括： 1. 无线通信基础设施：用于蜂窝基站、微波中继系统中的射频功率放大级，支持GSM、CDMA、W-CDMA等移动通信标准，在800MHz至1000MHz频段表现优异。 2. 工业与军事通信设备：适用于高可靠性要求的战术电台、公共安全通信系统及远程指挥控制系统，提供稳定的射频输出功率。 3. 广播与雷达系统：在低功率雷达发射模块和射频信号发生装置中作为驱动放大器，具备良好的增益和热稳定性。 4. 测试仪器与射频模块：广泛用于射频自动测试设备（ATE）、信号发生器和功率放大模块设计中，满足研发与生产环节对信号保真度的需求。 MRF5812GR2采用先进的硅双极工艺，具有高增益、低失真和优良的热性能，其塑料封装（SOT-89或类似）便于表面贴装，适合紧凑型高频电路设计。配合适当的匹配网络，可在+28V供电下输出数瓦级别的射频功率，兼顾效率与线性度。 总体而言，MRF5812GR2适用于中等功率、注重可靠性和稳定性的射频放大应用，尤其适合工作频率在UHF至L波段的通信系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF5812GR2 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 50mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | MRF5812GR2DKR |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 2dB ~ 3dB @ 500MHz |
| 增益 | 13dB ~ 15.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 频率-跃迁 | 5GHz |
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