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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供15GN01CA-TB-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 15GN01CA-TB-E价格参考。ON Semiconductor15GN01CA-TB-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载15GN01CA-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有15GN01CA-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美半导体)的15GN01CA-TB-E是一款射频双极型晶体管(RF BJT),主要用于高频和射频应用。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 射频放大器 - 该晶体管适用于设计低噪声射频放大器,用于无线通信设备、基站、无线电接收机等。 - 在射频信号链中,它可以用作前置放大器,提升弱信号的强度,同时保持低噪声性能。 2. 调制解调电路 - 15GN01CA-TB-E可用于调制和解调电路中,支持AM、FM或其他类型的射频信号处理。 - 在无线通信系统中,它能够帮助实现信号的频率转换或调制。 3. 混频器与倍频器 - 该晶体管可以作为混频器的核心元件,用于将输入信号与本地振荡器信号混合,生成新的频率分量。 - 在倍频器应用中,它能够产生更高频率的输出信号。 4. 无线通信模块 - 在物联网(IoT)设备、蓝牙模块、Wi-Fi模块和其他无线通信系统中,该晶体管可用于信号增强和优化。 - 它支持高频段工作,适合短距离或长距离无线通信场景。 5. 雷达与导航系统 - 由于其高频特性,15GN01CA-TB-E可用于小型雷达系统或导航设备中的信号处理部分。 - 它能够在高频率下提供稳定的增益和低失真性能。 6. 测试与测量设备 - 在频谱分析仪、网络分析仪或其他射频测试设备中,该晶体管可用于信号放大和处理。 - 它能确保测试设备在高频范围内的精确性和可靠性。 7. 卫星通信与广播 - 该晶体管可用于卫星地面站设备中的射频信号处理部分,支持高质量的信号传输。 - 在广播系统中,它可以用于信号增强和覆盖范围扩展。 总结 15GN01CA-TB-E凭借其优异的射频性能,广泛应用于无线通信、信号处理、测试测量以及雷达等领域。其高频特性、低噪声和高增益使其成为许多射频应用的理想选择。具体使用时需根据实际需求进行电路设计和参数匹配。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN VHF-UHF HI FREQ CP射频双极晶体管 LOW-SATURATION VOLTAGE |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,ON Semiconductor 15GN01CA-TB-E- |
数据手册 | |
产品型号 | 15GN01CA-TB-E |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 10mA,5V |
产品种类 | 射频双极晶体管 |
供应商器件封装 | 3-CP |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | - |
增益 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | Silicon |
晶体管类型 | Bipolar Power |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 8V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 50mA |
类型 | RF Bipolar Power |
系列 | 15GN01CA |
频率-跃迁 | 1.5GHz |