Datasheet下载- 型号： 55GN01MA-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供55GN01MA-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 55GN01MA-TL-E价格参考。ON Semiconductor55GN01MA-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载55GN01MA-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有55GN01MA-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
55GN01MA-TL-E是ON Semiconductor生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于高频模拟信号放大和射频功率放大应用。该器件适用于工作频率较高的无线通信系统，常见于UHF（特高频）和VHF（甚高频）频段。 其典型应用场景包括：电视和广播接收设备中的射频信号放大、无线基础设施中的低噪声与中等功率放大模块、FM收音机前端放大器、以及各类消费类电子产品中的射频接收电路。由于具备良好的增益特性与频率响应，该晶体管也适合用于小信号放大和混频电路中。 55GN01MA-TL-E采用SOT-23小型表面贴装封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，广泛应用于便携式通信设备、智能家居设备及无线音频传输装置中。同时，该器件具有较高的可靠性与稳定性，适合在工业环境或长时间运行的设备中使用。 总体而言，55GN01MA-TL-E是一款适用于中低功率射频放大需求的通用型BJT，凭借ON Semiconductor在模拟与射频领域的技术积累，为多种射频接收和信号处理场景提供了高效、稳定的解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 70MA 10V MCP |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 55GN01MA-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-MCP |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.9dB @ 1GHz |
| 增益 | 10dB @ 1GHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 10V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 70mA |
| 频率-跃迁 | 4.5GHz ~ 5.5GHz |
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