| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MSC3930-BT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSC3930-BT1G价格参考。ON SemiconductorMSC3930-BT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MSC3930-BT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MSC3930-BT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MSC3930-BT1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款射频双极结型晶体管(RF BJT),主要用于高频模拟信号放大和射频功率放大应用。该器件适用于工作频率在数百MHz至数GHz范围的无线通信系统,广泛应用于蜂窝基站、无线基础设施、微波中继、射频模块及工业射频设备中。 其典型应用场景包括蜂窝网络中的功率放大器(PA)级设计,支持GSM、CDMA、WCDMA、LTE等通信标准,具备良好的线性度与功率增益特性,有助于提升信号传输质量与覆盖范围。此外,MSC3930-BT1G也可用于射频驱动放大器或小型信号放大电路,在需要高可靠性和稳定性能的环境中表现优异。 该器件采用紧凑型表面贴装封装,适合高密度PCB布局,具有良好的热稳定性和可靠性,适用于严苛的工业温度环境。由于其优化的射频性能,MSC3930-BT1G常被选用于对效率、增益和失真控制要求较高的射频系统设计中,是现代无线通信设备中的关键元器件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN RF BIPO 20V SOT-323 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MSC3930-BT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 70 @ 1mA,10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3(SOT323) |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数(dB,不同f时的典型值) | - |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 30mA |
| 频率-跃迁 | 150MHz |