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Datasheet下载- 型号： IRF7311PBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7311PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7311PBF价格参考。International RectifierIRF7311PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 6.6A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7311PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7311PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7311PBF是一款双N沟道MOSFET阵列，广泛应用于各种电力电子和控制电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电机驱动 IRF7311PBF适用于小型直流电机、步进电机和无刷直流电机（BLDC）的驱动电路。它可以在低侧或高侧配置中使用，提供高效且可靠的开关性能，适用于消费电子、工业自动化和家电中的电机控制系统。 2. 电源管理 该器件可用于开关电源（SMPS）、降压/升压转换器等电源管理系统中。由于其低导通电阻（Rds(on)），可以有效减少功率损耗，提高电源效率。此外，它还可以用于电池管理系统（BMS），在充电和放电过程中进行电流控制和保护。 3. 负载开关 IRF7311PBF可以用作负载开关，控制不同负载的供电状态。例如，在笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备中，它可以快速切换电源路径，确保设备在待机或关机状态下消耗极低的电流。 4. LED驱动 在LED照明系统中，IRF7311PBF可以用于恒流或恒压驱动电路，确保LED在不同工作条件下保持稳定的亮度和颜色。它还可以用于调光控制，通过PWM信号调节LED的亮度。 5. 通信设备 在通信基站、路由器和交换机等网络设备中，IRF7311PBF可以用于电源管理和信号处理电路，提供高效的开关功能，同时确保系统的稳定性和可靠性。 6. 汽车电子 在汽车电子领域，IRF7311PBF可用于车身控制模块（BCM）、电动助力转向（EPS）、电子驻车制动（EPB）等系统中。它的高可靠性和低功耗特性使其成为车载应用的理想选择。 7. 工业控制 在工业自动化设备中，如PLC、伺服驱动器和变频器等，IRF7311PBF可以用于信号隔离、功率放大和开关控制等场合，确保系统的高效运行和安全性。 总之，IRF7311PBF凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于各类需要高效开关和功率控制的场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOICMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 29mOhms 18nC |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.6 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7311PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7311PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 18 nC |
| Qg-栅极电荷 | 18 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 29 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 29 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.7 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 31 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 29 毫欧 @ 6A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 29 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 正向跨导-最小值 | 20 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 6.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.6A |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7311.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7311.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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