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Datasheet下载- 型号： BFG540W/X,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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BFG540W/X,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG540W/X,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG540W/X,115价格参考。NXP SemiconductorsBFG540W/X,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 15V 120mA 9GHz 500mW Surface Mount CMPAK-4。您可以下载BFG540W/X,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFG540W/X,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFG540W/X,115是NXP USA Inc.生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于高频、低噪声的无线通信系统中。该器件适用于工作频率在数百MHz至数GHz范围内的应用，具备优良的增益和噪声性能。 典型应用场景包括： - 无线基础设施中的低噪声放大器（LNA），如蜂窝基站接收模块； - 射频前端模块，用于增强信号接收灵敏度； - 卫星通信系统、微波链路和宽带无线接入设备； - 工业、科学和医疗（ISM）频段的射频放大电路； - 数字电视、广播传输设备中的小信号放大。 该晶体管采用SOT323封装，体积小巧，适合高密度贴装，广泛应用于需要高性能和稳定性的射频电路设计中。其良好的线性度和可靠性也使其适用于中等功率的推挽放大配置。 总体而言，BFG540W/X,115是一款面向通信领域的高性能射频BJT，适用于对噪声和增益要求较高的接收和小信号放大场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS WIDEBAND 9GHZ SOT-343 15V射频双极晶体管 NPN 8V 120mA 9GHZ |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFG540W/X,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFG540W/X,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 40mA，8V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | CMPAK-4 |
| 其它名称 | 568-6192-6 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 2.5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 封装/箱体 | SOT-343 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 9000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.12 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 120mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 集电极连续电流 | 0.12 A |
| 零件号别名 | BFG540W/X T/R |
| 频率 | 9000 MHz |
| 频率-跃迁 | 9GHz |
