Datasheet下载- 型号： MX0912B351Y,114
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MX0912B351Y,114由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MX0912B351Y,114价格参考。NXP SemiconductorsMX0912B351Y,114封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MX0912B351Y,114参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MX0912B351Y,114 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 MX0912B351Y,114 是一款射频双极结型晶体管（RF BJT），适用于高频、高功率的无线通信系统。该器件主要工作在900MHz至1200MHz频段，具备高增益和高效率特性，适合用于基站功率放大器、工业射频能量应用以及蜂窝基础设施中的线性放大。 典型应用场景包括4G LTE和5G宏基站的射频输出级，尤其适用于需要高可靠性和稳定性能的多载波放大系统。其优良的热稳定性和耐用性也使其广泛应用于广播发射机、公共安全通信系统（如警察、消防无线网络）及专用移动无线电（PMR）系统。 此外，MX0912B351Y,114 采用先进的封装技术，具备良好的散热性能，可在严苛环境下长期运行，满足电信级设备对寿命与稳定性的要求。因此，它特别适合部署在户外基站、远程通信节点等关键通信设施中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR POWER NPN SOT439A |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MX0912B351Y,114 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | - |
| 供应商器件封装 | CDFM2 |
| 其它名称 | 934033550114 |
| 功率-最大值 | 960W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | 7.6dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-439A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 4 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 21A |
| 频率-跃迁 | 1.215GHz |
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