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Datasheet下载- 型号： IRF7807ZTRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7807ZTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7807ZTRPBF价格参考。International RectifierIRF7807ZTRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF7807ZTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7807ZTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7807ZTRPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 IRF7807ZTRPBF常用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中，作为功率开关元件。它能够高效地控制电流的通断，减少能量损耗，提高电源转换效率。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），在高频开关应用中表现出色，适用于笔记本电脑适配器、手机充电器等消费电子产品的电源模块。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，IRF7807ZTRPBF可以用于控制电机的启动、停止和调速。例如，在无人机、电动工具、家用电器（如吸尘器、电风扇）等设备中，该MOSFET能够精确控制电机的工作状态，确保电机运行平稳且节能。 3. 电池管理系统 该器件也可用于锂电池、铅酸电池等电池组的保护电路中。通过控制MOSFET的开关状态，可以防止电池过充、过放、短路等异常情况，从而延长电池寿命并提高安全性。它还适用于电动汽车、储能系统等大功率电池管理场合。 4. 负载切换与保护 在需要频繁切换负载的应用中，IRF7807ZTRPBF可以快速响应，实现负载的通断控制。例如，在服务器、通信基站等设备中，它可以用于热插拔保护电路，确保在插入或拔出模块时不会对系统造成冲击。 5. LED驱动 在LED照明系统中，IRF7807ZTRPBF可用于恒流驱动电路，确保LED灯珠获得稳定的电流供应，避免因电流波动导致的亮度不均匀或损坏问题。它特别适合于高亮度LED灯具、显示屏背光等应用。 总结 IRF7807ZTRPBF凭借其低导通电阻、快速开关速度和良好的耐压性能，广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护、负载切换以及LED驱动等多个领域，能够有效提升系统的效率和可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOICMOSFET MOSFT 30V 11A 13.8mOhm 7.2nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7807ZTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7807ZTRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 7.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 770pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.8 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | *IRF7807ZTRPBF |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 18.2 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 7.2 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 11 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Ta） |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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