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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MPSH10G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPSH10G价格参考。ON SemiconductorMPSH10G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MPSH10G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MPSH10G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MPSH10G是一款双极性射频晶体管(BJT),专为高频和射频应用设计。以下是其主要应用场景: 1. 射频放大器:MPSH10G适用于低噪声射频放大器,能够有效提升信号强度而不显著增加噪声。它在无线通信设备中用于信号增强,如对讲机、无线电接收器等。 2. 混频器与调制解调器:该晶体管可用于混频器电路中,将不同频率信号混合以生成新的频率信号。同时,在调制解调器中,可实现信号的调制与解调功能。 3. 振荡器电路:MPSH10G可作为核心元件构建射频振荡器,产生稳定的高频信号,广泛应用于无线发射器、本地振荡器等领域。 4. 开关电路:由于其快速开关特性,MPSH10G适合用作射频开关,控制信号通断,在多路复用器或天线切换网络中有重要作用。 5. 无线通信模块:该型号晶体管常用于短距离无线通信系统,例如蓝牙、Wi-Fi模块以及物联网(IoT)设备中的信号处理部分。 6. 测试与测量仪器:在频谱分析仪、信号发生器等专业测试设备中,MPSH10G可用于提高射频性能,确保精确度和稳定性。 7. 医疗电子设备:一些便携式医疗设备需要使用射频技术进行数据传输,MPSH10G可以满足这些需求,比如远程监护装置中的信号处理单元。 综上所述,MPSH10G凭借其优秀的射频性能,在众多领域内发挥关键作用,特别是在需要高效能、低噪声及高稳定性的射频应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN VHF/UHF SS 25V TO92两极晶体管 - BJT 25V VHF/UHF NPN |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MPSH10G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MPSH10G |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 4mA,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | MPSH10GOS |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 噪声系数(dB,不同f时的典型值) | - |
| 增益 | - |
| 增益带宽产品fT | 650 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 (TO-226) |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 350 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 25V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | MPSH10 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 25 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 频率-跃迁 | 650MHz |