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型号： BFR840L3RHESDE6327XTSA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BFR840L3RHESDE6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFR840L3RHESDE6327XTSA1价格参考。InfineonBFR840L3RHESDE6327XTSA1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BFR840L3RHESDE6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFR840L3RHESDE6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为 BFR840L3RHESDE6327XTSA1 的晶体管由 Infineon Technologies（英飞凌） 生产，属于 射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于高频信号放大和射频电路设计。

 主要应用场景包括：

1. 无线通信系统：  
   适用于 GSM、WCDMA、LTE 等移动通信基站和无线基础设施，用于射频信号的前级放大或驱动放大。

2. 射频功率放大器：  
   在中低功率射频放大电路中表现优异，常见于射频发射模块中，用于增强信号强度。

3. 广播设备：  
   用于 FM 广播、电视发射设备中的射频放大，提供稳定高频放大性能。

4. 测试与测量仪器：  
   应用于射频信号发生器、频谱分析仪等设备中，作为信号放大元件。

5. 工业与汽车射频应用：  
   如汽车遥控门锁系统（RKE）、胎压监测系统（TPMS）等需要射频传输的汽车电子模块。

该晶体管具有良好的高频响应和线性放大特性，适合工作在几百 MHz 至 GHz 级别的频率范围，是射频电路设计中常用的高性能元件。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	射频双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Infineon Technologies BFR840L3RHESDE6327XTSA1
产品型号	BFR840L3RHESDE6327XTSA1
产品种类	射频双极晶体管
功率耗散	75 mW
发射极-基极电压VEBO	2.9 V
商标	Infineon Technologies
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/箱体	TSLP-3-9-3
工厂包装数量	15000
技术	SiGe
晶体管类型	Bipolar
最大工作温度	+ 150 C
最大工作频率	75 GHz
最小工作温度	- 55 C
类型	RF Silicon Germanium
系列	BFR840L3
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	2.25 V
集电极连续电流	35 mA
零件号别名	SP000978848
频率	75 GHz