Datasheet下载- 型号： MRF5812GR1
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5812GR1由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5812GR1价格参考。American Microsemiconductor, Inc.MRF5812GR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5812GR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5812GR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下公司）的MRF5812GR1是一款射频双极结型晶体管（RF BJT），属于高性能射频功率放大器器件。该型号主要应用于需要高线性度和高效率的射频信号放大场景。 MRF5812GR1广泛用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频系统，如2.4 GHz ISM频段的无线通信设备。典型应用场景包括无线基站、射频加热设备、射频激励源、等离子发生器以及射频识别（RFID）系统中的功率放大级。此外，它也适用于低功率射频发射机和各类射频测试仪器。 该器件具备良好的热稳定性和高增益特性，适合在连续波（CW）和调制信号条件下工作，能够支持多种模拟与数字调制方式，因此在要求高可靠性和稳定输出的工业与通信设备中具有重要应用价值。由于采用表面贴装封装（如SOT-223或类似形式），MRF5812GR1便于集成于紧凑型射频电路板中，适用于空间受限但性能要求较高的设计。 总之，MRF5812GR1主要用于2.4 GHz左右频段的中等功率射频放大，常见于工业射频电源、无线基础设施及专业通信系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF5812GR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 50mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | MRF5812GR1MIDKR |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 2dB ~ 3dB @ 500MHz |
| 增益 | 13dB ~ 15.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 频率-跃迁 | 5GHz |
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