Datasheet下载- 型号： BFU530XAR
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFU530XAR由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFU530XAR价格参考。NXP SemiconductorsBFU530XAR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFU530XAR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFU530XAR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFU530XAR是NXP USA Inc.生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），广泛应用于射频（RF）放大和高频电路中。该器件具有良好的高频性能和较高的功率增益，适合用于无线通信系统中的关键部件。 其主要应用场景包括： 1. 无线通信设备：如基站、无线接入点等，用于射频信号的放大和处理，支持GSM、WCDMA、LTE等多种通信标准。 2. 射频功率放大器：在发射机中作为主放大器或驱动放大器，提供高线性度和效率，适用于中低功率射频应用。 3. 广播设备：如FM广播发射机，用于音频信号的射频调制与放大。 4. 测试与测量仪器：用于射频信号发生器、频谱分析仪等设备中的放大电路。 5. 工业与汽车电子系统：如雷达、传感器和远程通信模块，支持稳定高频信号传输。 总之，BFU530XAR凭借其优良的射频特性和可靠性，适用于多种高频通信和射频功率放大场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF NPN 12V 40MA SOT-143B |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BFU530XAR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | * |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | 568-11512-6 |
| 功率-最大值 | * |
| 包装 | * |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | * |
| 增益 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | * |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | * |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | * |
| 配用 | /product-detail/zh/OM7963/568-11526-ND/4895775 |
| 频率-跃迁 | * |
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