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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BFU730LXZ由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFU730LXZ价格参考¥0.74-¥3.25。NXP SemiconductorsBFU730LXZ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BFU730LXZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFU730LXZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFU730LXZ 是 NXP USA Inc. 生产的一款射频双极结型晶体管(RF BJT),主要用于高频射频功率放大应用。该器件适用于工作频率在数百兆赫兹至吉赫兹范围内的无线通信系统。 其主要应用场景包括: 1. 无线基础设施:如蜂窝基站中的射频功率放大器模块,适用于 GSM、WCDMA、LTE 等移动通信标准,提供高线性度和高效率的信号放大。 2. 广播设备:用于 FM 或 TV 发射机中的射频放大环节,支持高质量信号传输。 3. 工业与专业通信系统:例如专网通信、集群通信系统中的射频功率放大器设计。 4. 测试与测量设备:作为射频信号放大器,用于信号发生器或频谱分析仪等测试设备中。 BFU730LXZ 具有高增益、良好的热稳定性和较高的输出功率能力,适合在需要高可靠性和高性能的射频系统中使用。其封装形式(如SOT-89)也便于散热和射频电路的集成设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF NPN 3V 30MA XQFN3 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BFU730LXZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 205 @ 2mA、 3V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006(1.0x0.6) |
| 其它名称 | 934066878225 |
| 功率-最大值 | 160mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 0.75dB @ 6GHz |
| 增益 | 15.8dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 3V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 30mA |
| 频率-跃迁 | 53GHz |