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Datasheet下载- 型号： BFS520,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
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BFS520,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFS520,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFS520,115价格参考。NXP SemiconductorsBFS520,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 15V 70mA 9GHz 300mW Surface Mount SOT-323-3。您可以下载BFS520,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFS520,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 BFS520,115 是一款高频硅锗碳双极结型晶体管（RF BJT），专为射频放大和信号处理应用设计。该器件采用SOT-23封装，具有优异的增益、低噪声系数和良好的线性度，适用于工作频率高达数GHz的场景。 典型应用场景包括： 1. 无线通信系统：广泛用于GSM、CDMA、WCDMA、LTE等移动通信基础设施中的低噪声放大器（LNA）和驱动放大器。 2. 物联网（IoT）设备：在低功耗、高灵敏度的无线模块中，如Wi-Fi、蓝牙和ZigBee收发器前端，提升接收信号质量。 3. 射频识别（RFID）：作为读写器中的射频放大单元，增强信号覆盖范围和识别稳定性。 4. 汽车电子：应用于车载通信模块、远程无钥匙进入系统（RKE）及胎压监测系统（TPMS）等射频功能单元。 5. 消费类电子产品：用于智能手机、平板电脑中的射频前端电路，支持多频段信号放大与处理。 BFS520,115具备高可靠性和良好热稳定性，适合在紧凑空间内实现高性能射频设计。其115编号代表特定卷带包装规格，便于自动化贴片生产。综合性能使其成为中高频段射频放大应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 70MA 15V 9GHZ SOT323射频双极晶体管 NPN 70MA 15V 9GHZ |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFS520,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFS520,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 20mA，6V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-1654-2 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 2.5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 9000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.07 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 70mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 集电极连续电流 | 0.07 A |
| 零件号别名 | BFS520 T/R |
| 频率 | 9000 MHz |
| 频率-跃迁 | 9GHz |
