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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG31,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG31,115价格参考。NXP SemiconductorsBFG31,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BFG31,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFG31,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFG31,115 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频双极结型晶体管(RF BJT),主要用于高频模拟信号放大场合。该器件适用于工作频率高达几吉赫兹(GHz)的射频应用,具有良好的增益特性和线性度,适合对信号保真度要求较高的系统。 典型应用场景包括:无线通信基础设施中的射频放大器模块,如蜂窝基站的低噪声放大器(LNA)或驱动放大器;工业、科学和医疗(ISM)频段设备中的射频功率放大;以及短距离无线传输系统,如Wi-Fi、无线传感器网络和射频识别(RFID)系统中的发射链路放大。 此外,BFG31,115 也常用于广播设备中的射频信号处理单元,例如调频(FM)或电视发射机的前置放大级。其稳定的温度性能和高可靠性使其在环境条件变化较大的户外通信设备中表现良好。 由于采用SOT223封装,该器件具备较好的散热能力,适合中等功率射频应用。在设计时通常配合阻抗匹配网络使用,以优化增益、噪声系数和输出功率等关键参数。 总之,BFG31,115 是一款适用于高频、低至中功率射频放大需求的通用型晶体管,广泛应用于通信、广播和无线数据传输等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 10V 5GHZ SOT223射频双极晶体管 PNP 10V 100mA 14GHZ |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFG31,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFG31,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 25 @ 70mA,10V |
| 产品种类 | RF Transistors |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-6186-6 |
| 功率-最大值 | 1W |
| 功率耗散 | 1000 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数(dB,不同f时的典型值) | - |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 5000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 15V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 零件号别名 | BFG31 T/R |
| 频率 | 5000 MHz |
| 频率-跃迁 | 5GHz |