Datasheet下载- 型号： BFR 182T E6327
- 制造商： Infineon
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFR 182T E6327由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFR 182T E6327价格参考。InfineonBFR 182T E6327封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFR 182T E6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFR 182T E6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为BFR 182T E6327的晶体管属于射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于射频信号放大和高频电路设计。 应用场景包括： 1. 无线通信系统：如蜂窝基站、无线接入点等，用于射频信号的前置放大或中功率放大。 2. 广播设备：适用于FM广播、电视发射器中的射频功率放大环节。 3. 工业射频设备：如射频测试仪器、测量设备和工业控制系统中的信号处理模块。 4. 消费类电子产品：部分高端无线音频设备、Wi-Fi或蓝牙模块中也可能使用该类射频晶体管。 5. 汽车电子：用于车载通信模块、远程信息处理系统等高频信号处理场合。 该晶体管具有良好的高频性能和稳定性，适合在低噪声、中等功率的射频应用场景中使用，是射频电路设计中常用的元件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF NPN 12V SC-75 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BFR 182T E6327 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 10mA，8V |
| 供应商器件封装 | PG-SC-75 |
| 其它名称 | BFR182TE6327XT |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| 增益 | 20dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 35mA |
| 频率-跃迁 | 8GHz |
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