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Datasheet下载- 型号： 2SC5065-O(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5065-O(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5065-O(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SC5065-O(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SC5065-O(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC5065-O(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC5065-O(TE85L,F) 是东芝（Toshiba Semiconductor and Storage）生产的一款高频双极结型晶体管（BJT），主要用于射频（RF）放大电路中。该晶体管采用NPN结构，具有良好的高频特性，适用于要求高增益和低噪声的射频前端应用。 其主要应用场景包括： 1. 无线通信设备：如基站、无线接入点（AP）、射频收发模块等，用于信号放大和处理。 2. 广播设备：用于FM广播或电视广播中的射频信号放大。 3. 测试仪器：如频谱分析仪、信号发生器等，用于射频信号的增强和调节。 4. 工业控制系统：在需要高频信号处理的工业自动化系统中，作为射频信号放大元件。 5. 消费类电子产品：如高频率接收器、遥控装置、无线音频传输设备等。 该晶体管封装为SOT-89，适合表面贴装，具有良好的热稳定性和高频响应，工作频率可达百兆赫兹（MHz）级别，适合中功率射频放大场合。由于其高可靠性和稳定性，广泛应用于各类射频通信系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF NPN 12V 1MHZ USM |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SC5065-O(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | USM |
| 其它名称 | 2SC5065-O(TE85LF)DKR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1dB @ 500MHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 30mA |
| 频率-跃迁 | 7GHz |
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