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Datasheet下载- 型号： 2SC5065-Y(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5065-Y(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5065-Y(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SC5065-Y(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SC5065-Y(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC5065-Y(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 2SC5065-Y(TE85L,F) 的晶体管属于 Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）品牌下的一款 双极型射频晶体管（BJT），主要用于高频信号放大和射频电路设计中。 主要应用场景包括： 1. 射频功率放大器 适用于无线通信系统中的射频功率放大，如蜂窝基站、无线接入点、广播设备等，能够在高频段（例如UHF、VHF频段）提供良好的增益和输出功率。 2. 高频信号放大 常用于需要高频率响应的模拟电路中，如射频接收机前端放大器、频率转换器等，具有良好的线性度和低噪声特性。 3. 无线通信设备 被广泛应用于各类无线通信设备中，如对讲机、无线传感器、射频识别（RFID）设备等，支持稳定的射频信号传输。 4. 测试仪器与工业控制 在射频测试仪器、测量设备和工业自动化系统中作为信号放大或驱动元件使用，具有较高的稳定性和可靠性。 5. 消费类电子产品 如电视调谐器、FM接收模块等产品中，该晶体管可作为高频信号处理的核心元件，保证信号清晰稳定。 该晶体管采用小型表面贴装封装（如SOT-89），适合高密度PCB布局，具备良好的热稳定性和高频性能，适用于需要紧凑设计和高性能的电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN MM-USM |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SC5065-Y(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | USM |
| 其它名称 | 2SC5065-Y(TE85LF)DKR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.1dB @ 1GHz |
| 增益 | 12dB ~ 17dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 30mA |
| 频率-跃迁 | 7GHz |
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