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  • 型号: LZ1418E100R,114
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供LZ1418E100R,114由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 LZ1418E100R,114价格参考。NXP SemiconductorsLZ1418E100R,114封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载LZ1418E100R,114参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有LZ1418E100R,114 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 的 LZ1418E100R,114 是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 射频(RF)器件,主要用于高频射频应用领域。以下是其典型应用场景:

 1. 射频功率放大器
   - 该型号适用于射频功率放大器的设计,特别是在需要高效率和高线性度的场景中。它能够处理高频信号并提供足够的增益,广泛用于通信设备和广播系统。

 2. 无线通信系统
   - 在无线通信基站、中继站和其他相关设备中,LZ1418E100R,114 可以用作功率放大器的核心组件,支持多种通信标准(如 GSM、CDMA、LTE 等)。

 3. 广播与传输
   - 该晶体管可用于广播发射机中,支持 AM、FM 和数字广播信号的高效传输。其射频性能确保了信号的稳定性和覆盖范围。

 4. 工业、科学和医疗(ISM)应用
   - 在 ISM 频段内,这款 BJT 可用于各种射频能量应用,例如射频加热、等离子体生成和医疗设备中的能量传输。

 5. 测试与测量设备
   - 在射频测试仪器中,如信号发生器、频谱分析仪等,该晶体管可以提供稳定的射频输出或放大功能。

 6. 雷达系统
   - 由于其高功率处理能力和频率特性,LZ1418E100R,114 可用于雷达系统的发射机部分,支持脉冲信号的放大和传输。

 7. 卫星通信
   - 在卫星地面站和卫星通信设备中,该晶体管可作为关键元件,用于信号放大和处理,确保数据传输的可靠性。

 总结
LZ1418E100R,114 凭借其优异的射频性能和功率处理能力,广泛应用于通信、广播、工业、医疗和测试设备等领域。其高效率和稳定性使其成为射频系统设计中的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR NPN POWER SOT443A

产品分类

RF 晶体管 (BJT)

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

LZ1418E100R,114

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

15 @ 2A,3V

供应商器件封装

CDFM2

其它名称

933715830114

功率-最大值

45W

包装

带卷 (TR)

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

-

增益

-

安装类型

法兰

封装/外壳

SOT-443A

晶体管类型

NPN

标准包装

500

电压-集射极击穿(最大值)

20V

电流-集电极(Ic)(最大值)

4A

频率-跃迁

1.6GHz

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