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型号： 2SC2714-Y(TE85L,F)
制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2SC2714-Y(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC2714-Y(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SC2714-Y(TE85L,F)封装/规格：未分类，暂无。您可以下载2SC2714-Y(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC2714-Y(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为 2SC2714-Y(TE85L,F) 的晶体管属于 Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）品牌下的 双极型射频晶体管（BJT），常用于高频信号放大场合。

该晶体管主要应用于 射频（RF）放大电路 和 高频电子设备 中，如：

1. 无线通信设备：用于射频接收或发射前端的信号放大，如对讲机、无线模块等；
2. 广播调谐器：适用于FM收音机、电视调谐器中作为高频频段的低噪声放大器；
3. 测试仪器：在射频信号发生器或频谱分析仪中用于信号调节和增强；
4. 消费类电子产品：如音频放大器中的前置放大级或其他高频处理电路；
5. 工业控制设备：用于需要处理射频信号的传感器或通信接口模块。

该器件具有良好的高频特性，适合工作在几百MHz以下的频率范围，具备较高的增益和稳定性，适用于小信号放大场景。其封装形式为小型表面贴装封装（SOT-23），便于自动化生产和高频布线设计。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANSISTOR NPN S-MINI两极晶体管 - BJT Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V
产品分类	RF 晶体管 (BJT)分离式半导体
品牌	ToshibaToshiba Semiconductor and Storage
产品手册	http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=2SC2714&lang=en
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SC2714-Y(TE85L,F)-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	2SC2714-Y(TE85L,F)2SC2714-Y(TE85L,F)
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	100 @ 1mA，6V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	S-Mini
其它名称	2SC2714-Y(TE85LF)DKR
功率-最大值	100mW
包装	Digi-Reel®
发射极-基极电压VEBO	4 V
商标	Toshiba
噪声系数（dB，不同f时的典型值）	2.5dB @ 100MHz
增益	23dB
增益带宽产品fT	550 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装/箱体	SOT-346
工厂包装数量	3000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	100 mW
最大直流电集电极电流	20 mA
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	30V
电流-集电极(Ic)（最大值）	20mA
直流电流增益hFE最大值	200
直流集电极/BaseGainhfeMin	40
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	30 V
集电极—基极电压VCBO	40 V
集电极连续电流	20 mA
频率-跃迁	550MHz